SiC húðaðir grafítbasar eru almennt notaðir til að styðja og hita einskristal hvarfefni í málm-lífrænum efnagufu (MOCVD) búnaði. Hitastöðugleiki, varma einsleitni og aðrar frammistöðubreytur SiC húðaðs grafítgrunns gegna afgerandi hlutverki í gæðum epitaxial efnisvaxtar, þannig að það er kjarninn í MOCVD búnaði.
Í því ferli að framleiða obláta eru epitaxial lög enn frekar smíðuð á sumum oblátum undirlagi til að auðvelda framleiðslu tækja. Dæmigert LED ljósgeislatæki þurfa að undirbúa epitaxial lög af GaAs á sílikon hvarfefni; SiC epitaxial lagið er ræktað á leiðandi SiC undirlagi til að byggja tæki eins og SBD, MOSFET, osfrv., Fyrir háspennu, hástraum og önnur aflnotkun; GaN epitaxial lag er smíðað á hálfeinangruðu SiC undirlagi til að smíða frekar HEMT og önnur tæki fyrir RF forrit eins og samskipti. Þetta ferli er óaðskiljanlegt frá CVD búnaði.
Í CVD búnaðinum er ekki hægt að setja undirlagið beint á málminn eða einfaldlega setja það á undirlag fyrir útfellingu útfellingar vegna þess að það felur í sér gasflæði (lárétt, lóðrétt), hitastig, þrýsting, festingu, losun mengunarefna og annarra þátta í áhrifaþættirnir. Þess vegna er nauðsynlegt að nota grunn og setja síðan undirlagið á diskinn og nota síðan CVD tækni til að útfella undirlagið, sem er SiC húðaður grafítgrunnur (einnig þekktur sem bakki).
SiC húðaðir grafítbasar eru almennt notaðir til að styðja og hita einskristal hvarfefni í málm-lífrænum efnagufu (MOCVD) búnaði. Hitastöðugleiki, varma einsleitni og aðrar frammistöðubreytur SiC húðaðs grafítgrunns gegna afgerandi hlutverki í gæðum epitaxial efnisvaxtar, þannig að það er kjarninn í MOCVD búnaði.
Málm-lífræn efnagufuútfelling (MOCVD) er almenna tæknin fyrir vöxt GaN kvikmynda í bláum LED. Það hefur kosti einfaldrar notkunar, stjórnanlegs vaxtarhraða og mikillar hreinleika GaN kvikmynda. Sem mikilvægur þáttur í hvarfhólfinu í MOCVD búnaði þarf burðargrunnurinn sem notaður er fyrir GaN filmu epitaxial vöxt að hafa kosti háhitaþols, samræmdrar hitaleiðni, góðs efnafræðilegs stöðugleika, sterkrar hitaáfallsþols osfrv. Grafít efni getur mætt ofangreindum skilyrðum.
Sem einn af kjarnaþáttum MOCVD búnaðar er grafítgrunnur burðarefni og hitunarhluti undirlagsins, sem ákvarðar beint einsleitni og hreinleika filmuefnisins, þannig að gæði þess hafa bein áhrif á undirbúning epitaxial laksins og á sama tíma. tíma, með aukningu á fjölda notkunar og breyttum vinnuskilyrðum, er það mjög auðvelt að klæðast, sem tilheyrir rekstrarvörum.
Þrátt fyrir að grafít hafi framúrskarandi hitaleiðni og stöðugleika, hefur það góðan kost sem grunnþáttur í MOCVD búnaði, en í framleiðsluferlinu mun grafít tæra duftið vegna leifar af ætandi lofttegundum og lífrænum málmefnum og endingartíma grafítgrunnur mun minnka mikið. Á sama tíma mun fallandi grafítduft valda mengun á flísinni.
Tilkoma húðunartækni getur veitt yfirborðsduftfestingu, aukið varmaleiðni og jafnað hitadreifingu, sem hefur orðið aðaltæknin til að leysa þetta vandamál. Grafítgrunnur í notkunarumhverfi MOCVD búnaðar, grafítgrunn yfirborðshúð ætti að uppfylla eftirfarandi eiginleika:
(1) Grafítbotninn er hægt að pakka að fullu og þéttleikinn er góður, annars er auðvelt að tæra grafítbotninn í ætandi gasinu.
(2) Samsetningsstyrkurinn við grafítgrunninn er hár til að tryggja að ekki sé auðvelt að falla af húðinni eftir nokkrar háhita- og lághitalotur.
(3) Það hefur góðan efnafræðilegan stöðugleika til að forðast bilun í húðun við háan hita og ætandi andrúmsloft.
SiC hefur kosti tæringarþols, mikillar hitaleiðni, hitaáfallsþols og mikillar efnastöðugleika og getur virkað vel í GaN epitaxial andrúmslofti. Að auki er varmaþenslustuðull SiC mjög lítið frábrugðinn grafíti, þannig að SiC er ákjósanlegt efni fyrir yfirborðshúð grafítgrunns.
Sem stendur er algengt SiC aðallega 3C, 4H og 6H gerð og SiC notkun mismunandi kristalgerða er mismunandi. Til dæmis getur 4H-SiC framleitt aflmikil tæki; 6H-SiC er stöðugasta og getur framleitt ljós raftæki; Vegna svipaðrar uppbyggingar og GaN er hægt að nota 3C-SiC til að framleiða GaN epitaxial lag og framleiða SiC-GaN RF tæki. 3C-SiC er einnig almennt þekkt sem β-SiC, og mikilvæg notkun β-SiC er sem filmu og húðunarefni, þannig að β-SiC er nú helsta efnið til húðunar.
Pósttími: Ágúst-04-2023