Ihe owuwu epitaxial Gallium arsenide-phosphide, nke yiri ihe arụpụtara nke ụdị mkpụrụ ASP (ET0.032.512TU), maka. imepụta kristal na-acha uhie uhie planar.
Ntọala teknụzụ bụ isi
ihe owuwu gallium arsenide-phosphide
| 1, SubstrateGaAs | |
| a. Ụdị omume | eletrọnịkị |
| b. Resistivity, ohm-cm | 0,008 |
| c. Crystal-latticeorientation | (100) |
| d. Nhụsianya dị n'elu | (1-3)° |
| 2. Epitaxial oyi akwa GaAs1-х Pх | |
| a. Ụdị omume | eletrọnịkị |
| b. Ọdịnaya phosphorus na oyi akwa mgbanwe | site na х = 0 ruo х ≈ 0,4 |
| c. Ọdịnaya phosphorus na oyi akwa nke ihe mejupụtara mgbe niile | х ≈ 0,4 |
| d. Ntinye uche nke ebu, сm3 | (0,2-3,0)·1017 |
| e. Ogologo ogologo na kacha nke fotoluminescence spectrum, nm | 645-673 nm |
| f. Ogologo ogologo n'ogo kachasị nke ụdịdị dị iche iche electroluminescence | 650-675 nm |
| g. Ọkpụrụkpụ oyi akwa mgbe niile, micron | Opekempe 8 nm |
| h. Ọkpụrụkpụ oyi akwa (mkpokọta), micron | Dịkarịa ala 30 nm |
| 3 Efere nwere oyi akwa epitaxial | |
| a. Ntughari, micron | Kachasị 100 um |
| b. Ọkpụrụkpụ, micron | 360-600 mm |
| c. Square sentimita | Opekempe 6 cm2 |
| d. Ike ọkụ pụrụ iche (mgbe mgbasa oziZn gasịrị), cd/amp | Opekempe 0,05 cd/amp |
