Suscetpor berlapis SiC adalah komponen kunci yang digunakan dalam berbagai proses manufaktur semikonduktor.Kami menggunakan teknologi kami yang telah dipatenkan untuk membuat suscetpor berlapis SiC dengan kemurnian sangat tinggi, keseragaman lapisan yang baik, dan masa pakai yang sangat baik, serta ketahanan kimia yang tinggi dan sifat stabilitas termal.
Fitur produk kami:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi hingga 1700 ℃.
2. Kemurnian tinggi dan keseragaman termal
3. Ketahanan korosi yang sangat baik: asam, alkali, garam dan reagen organik.
4. Kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
5. Umur pemakaian lebih lama dan lebih tahan lama
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai khas |
| 晶体结构 / Struktur kristal | Fase FCC β多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（beban 500g） |
| 晶粒大小 / Ukuran butir | 2~10μm |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99,99995% |
| 热容 / Kapasitas Panas | 640J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalakuDaya konduksi | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Sangat menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami, mari berdiskusi lebih lanjut!
