Epitaksi Silikon Kristal Tunggal IC

Deskripsi Singkat:

Tempat Asal:Cina

Struktur Kristal :fase FCCβ

Kepadatan :3,21 gram/cm;

Kekerasan:2500 Vicker;

Ukuran Butir :2~10μm;

Kemurnian Kimia:99,99995%;

Kapasitas Panas :640J·kg-1·K-1;

Suhu Sublimasi:2700℃;

Kekuatan Felekural:415 Mpa (RT 4 Titik);

Modulus Muda :430 IPK (tikungan 4pt, 1300℃);

Ekspansi Termal (CTE):4,5 10-6K-1;

Konduktivitas Termal:300（L/MK）;

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detil Produk

Label Produk

Deskripsi Produk

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.

Fitur utama:

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:

ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.

2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan deposisi uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.

3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.

4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Muda	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300