Susceptor Grafit Berlapis Silikon Karbida untuk Etsa LED

Susceptor Grafit Berlapis Silikon Karbida untuk Gambar Unggulan Etsa LED

Deskripsi Singkat:

Susceptor silikon karbida untuk etsa LED (baki SiC) adalah aksesori khusus untuk etsa silikon dalam (mesin etsa ICP). pembawa wafer, juga dikenal sebagai pembawa wafer, pembawa wafer silikon, juga dikenal sebagai wafer saku. Banyak digunakan dalam CVD semikonduktor dan sputtering vakum.

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detil Produk

Label Produk

Susceptor berlapis silikon karbida adalaha kuncikomponen yang digunakan dalam berbagai proses manufaktur semikonduktor.Kami menggunakan teknologi kami yang telah dipatenkan untuk membuat susceptor berlapis silikon karbidakemurnian yang sangat tinggi,Baguslapisankeseragamandan kehidupan pelayanan yang sangat baik, sertaketahanan kimia yang tinggi dan sifat stabilitas termal.

Energi VET adalah ituprodusen nyata produk grafit dan silikon karbida khusus dengan lapisan CVD,dapat menyediakanbermacam-macamsuku cadang yang disesuaikan untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. Otim teknis Anda berasal dari lembaga penelitian domestik terkemuka, dapat memberikan solusi material yang lebih profesionaluntukmu.

Kami terus mengembangkan proses lanjutan untuk menyediakan materi yang lebih canggih,Dantelah mengembangkan teknologi eksklusif yang dipatenkan, yang dapat membuat ikatan antara lapisan dan substrat menjadi lebih erat dan tidak mudah terkelupas.

Ffitur produk kami:

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi hingga 1700℃.
2. Kemurnian tinggi dankeseragaman termal
3. Ketahanan korosi yang sangat baik: asam, alkali, garam dan reagen organik.
4. Kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
5. Umur pemakaian lebih lama dan lebih tahan lama

CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar CVD SiClapisan
性质 / Properti	典型数值 / Nilai Khas
晶体结构 / Struktur Kristal	Fase FCC β多晶,主要为（111）取向
密度 / Kepadatan	3,21 gram/cm³
硬度 / Kekerasan	2500 维氏硬度（beban 500g）
晶粒大小 / Ukuran Butir	2~10μm
纯度 / Kemurnian Kimia	99,99995%
热容 / Kapasitas Panas	640J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Suhu Sublimasi	2700℃
抗弯强度 / Kekuatan Lentur	415 MPa RT 4 titik
杨氏模量 / Modulus Muda	tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / TermalakuDaya konduksi	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE)	4,5×10^-6K^-1