Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Kustom Berkualitas Tinggi China untuk Tungku Ingot Silikon Polikristalin

Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Khusus Berkualitas Tinggi Cina untuk Gambar Unggulan Tungku Ingot Silikon Polikristalin

Deskripsi Singkat:

Kemurnian <5ppm
‣ Keseragaman doping yang baik
‣ Kepadatan dan daya rekat tinggi
‣ Ketahanan anti korosi dan karbon yang baik

‣ Kustomisasi profesional
‣ Waktu tunggu yang singkat
‣ Pasokan stabil
‣ Kontrol kualitas dan peningkatan berkelanjutan

Epitaksi GaN pada Safir(LED RGB/Mini/Mikro);Epitaksi GaN pada Substrat Si(UVC);Epitaksi GaN pada Substrat Si(Perangkat Elektronik);Epitaksi Si pada Substrat Si(Sirkuit terpadu);Epitaksi SiC pada Substrat SiC(Substrat);Epitaksi InP di InP

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan solusi dan layanan kami. Pada saat yang sama, kami beroperasi secara aktif untuk melakukan penelitian dan peningkatan untuk Harga Terendah untuk China Pemanas Grafit Khusus Berkualitas Tinggi untuk Tungku Ingot Silikon Polikristalin, Perusahaan kami dengan cepat berkembang dalam ukuran dan popularitas karena dedikasi mutlaknya terhadap manufaktur berkualitas tinggi, harga besar produk dan penyedia pelanggan yang fantastis.
Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan solusi dan layanan kami. Pada saat yang sama, kami beroperasi secara aktif untuk melakukan penelitian dan peningkatanTungku Pemanas Grafit Cina, Medan Termal Grafit, Hanya untuk mencapai produk berkualitas baik untuk memenuhi permintaan pelanggan, semua produk dan solusi kami telah diperiksa secara ketat sebelum pengiriman. Kami selalu memikirkan pertanyaan di pihak pelanggan, karena Anda menang, kami menang!

Susceptor MOCVD berkualitas tinggi 2022 Beli online di Cina

Kepadatan Tampak:	1,85 gram/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Lentur:	49MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Wafer adalah sepotong silikon setebal kira-kira 1 milimeter yang memiliki permukaan sangat rata berkat prosedur yang secara teknis sangat menuntut. Penggunaan selanjutnya menentukan prosedur pertumbuhan kristal mana yang harus digunakan. Dalam proses Czochralski, misalnya, silikon polikristalin dilebur dan benih kristal setipis pensil dicelupkan ke dalam silikon cair. Kristal benih kemudian diputar dan ditarik perlahan ke atas. Hasilnya adalah raksasa yang sangat berat, sebuah kristal tunggal. Karakteristik kelistrikan monokristal dapat dipilih dengan menambahkan unit kecil dopan dengan kemurnian tinggi. Kristal tersebut didoping sesuai dengan spesifikasi pelanggan lalu dipoles dan dipotong-potong. Setelah berbagai langkah produksi tambahan, pelanggan menerima wafer tertentu dalam kemasan khusus, yang memungkinkan pelanggan untuk menggunakan wafer segera di lini produksinya.

Sebuah wafer perlu melewati beberapa tahapan sebelum siap digunakan pada perangkat elektronik. Salah satu proses penting adalah epitaksi silikon, di mana wafer dibawa pada suseptor grafit. Sifat dan kualitas susceptor mempunyai pengaruh penting terhadap kualitas lapisan epitaksi wafer.

Untuk fase pengendapan film tipis seperti epitaksi atau MOCVD, VET memasok peralatan grafit ultra murni yang digunakan untuk mendukung substrat atau “wafer”. Pada inti proses, peralatan ini, suseptor epitaksi atau platform satelit untuk MOCVD, pertama-tama dikenai lingkungan pengendapan:

Suhu tinggi.
Vakum tinggi.
Penggunaan prekursor gas yang agresif.
Nol kontaminasi, tidak ada pengelupasan.
Ketahanan terhadap asam kuat selama operasi pembersihan