Mendapatkan kepuasan pembeli adalah tujuan perusahaan kami tanpa akhir. Kami akan membuat inisiatif hebat untuk memperoleh solusi baru dan berkualitas tinggi, memenuhi spesifikasi eksklusif Anda dan memberi Anda penyedia pra-penjualan, penjualan, dan purna jual untuk Produk-Produk Baru Panas Tungku Tabung CVD yang Ditingkatkan Plasma untuk Deposisi Tinggi- Film Keras Berkualitas, Menyambut pertanyaan Anda, layanan terbaik akan diberikan dengan sepenuh hati.
Mendapatkan kepuasan pembeli adalah tujuan perusahaan kami tanpa akhir. Kami akan melakukan inisiatif hebat untuk memperoleh solusi baru dan berkualitas tinggi, memenuhi spesifikasi eksklusif Anda, dan memberi Anda penyedia pra-penjualan, penjualan, dan purna jual untukTungku Tabung CVD Cina dan Deposisi Uap Kimia Tungku Tabung CVD, Di pasar yang semakin kompetitif, Dengan pelayanan yang tulus, barang-barang berkualitas tinggi dan reputasi yang pantas, kami selalu memberikan dukungan pelanggan pada barang dan teknik untuk mencapai kerjasama jangka panjang. Hidup dengan kualitas, pengembangan dengan kredit adalah upaya abadi kami, Kami sangat yakin bahwa setelah kunjungan Anda, kami akan menjadi mitra jangka panjang.
Komposit karbon/karbon(selanjutnya disebut "C/C atau CFC”) adalah sejenis material komposit yang berbahan dasar karbon dan diperkuat dengan serat karbon dan produknya (carbon fiber preform). Ia memiliki kelembaman karbon dan kekuatan serat karbon yang tinggi. Ia memiliki sifat mekanik yang baik, tahan panas, tahan korosi, redaman gesekan dan karakteristik konduktivitas termal dan listrik
CVD-SiCpelapisan memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun pelapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300
|
