Lini produk VET Energy tidak terbatas pada GaN pada wafer SiC. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, antara lain Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, dll. Selain itu, kami juga aktif mengembangkan bahan semikonduktor celah pita lebar baru, seperti Gallium Oksida Ga2O3 dan AlN Wafer, untuk memenuhi permintaan industri elektronika daya di masa depan akan perangkat berkinerja lebih tinggi.
VET Energy menyediakan layanan penyesuaian yang fleksibel, dan dapat menyesuaikan lapisan epitaksi GaN dengan ketebalan berbeda, jenis doping berbeda, dan ukuran wafer berbeda sesuai dengan kebutuhan spesifik pelanggan. Selain itu, kami juga memberikan dukungan teknis profesional dan layanan purna jual untuk membantu pelanggan dengan cepat mengembangkan perangkat elektronik daya berkinerja tinggi.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi
Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Busur (GF3YFCD) -Nilai Absolut | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Tepi Wafer | miring |
PERMUKAAN SELESAI
*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi
Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Permukaan Selesai | Poles Optik sisi ganda, CMP Si-Wajah | ||||
Kekasaran Permukaan | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Wajah Ra≤0.2nm | |||
Keripik Tepi | Tidak Ada yang Diizinkan (panjang dan lebar≥0,5 mm) | ||||
Indentasi | Tidak Ada yang Diizinkan | ||||
Goresan (Si-Wajah) | Jumlah.≤5, Kumulatif | Jumlah.≤5, Kumulatif | Jumlah.≤5, Kumulatif | ||
Retak | Tidak Ada yang Diizinkan | ||||
Pengecualian Tepi | 3mm |