Առանձնահատկություններ:
· Գերազանց ջերմային ցնցումների դիմադրություն
· Գերազանց ֆիզիկական ցնցումների դիմադրություն
· Գերազանց քիմիական դիմադրություն
· Սուպեր բարձր մաքրություն
· Հասանելիություն բարդ ձևով
· Օգտագործվում է օքսիդացող մթնոլորտում
Դիմում:
Ապրանքի առանձնահատկությունները և առավելությունները.
1. Բարձրագույն ջերմային դիմադրություն:Բարձր մաքրությամբSiC ծածկույթ, ենթաշերտը դիմակայում է ծայրահեղ ջերմաստիճաններին՝ ապահովելով հետևողական աշխատանք այնպիսի պահանջկոտ միջավայրերում, ինչպիսիք են էպիտաքսիան և կիսահաղորդչային արտադրությունը:
2. Ընդլայնված ամրություն:SiC ծածկված գրաֆիտի բաղադրիչները նախագծված են քիմիական կոռոզիայից և օքսիդացմանը դիմակայելու համար՝ ավելացնելով ենթաշերտի կյանքի տևողությունը՝ համեմատած ստանդարտ գրաֆիտի ենթաշերտերի հետ:
3. Ապակենման պատված գրաֆիտ:-ի եզակի ապակենման կառուցվածքըSiC ծածկույթապահովում է մակերեսի գերազանց կարծրություն՝ նվազագույնի հասցնելով մաշվածությունը բարձր ջերմաստիճանի մշակման ժամանակ:
4. Բարձր մաքրության SiC ծածկույթ:Մեր ենթաշերտը նվազագույն աղտոտվածություն է ապահովում կիսահաղորդչային զգայուն գործընթացներում՝ ապահովելով հուսալիություն այն ճյուղերի համար, որոնք պահանջում են խիստ նյութական մաքրություն:
5. Շուկայի լայն կիրառություն:ԱյնSiC ծածկված գրաֆիտի ընկալիչշուկան շարունակում է աճել, քանի որ մեծանում է առաջադեմ SiC ծածկույթով արտադրանքի պահանջարկը կիսահաղորդչային արտադրության մեջ՝ դիրքավորելով այս ենթաշերտը որպես առանցքային դերակատար ինչպես գրաֆիտի վաֆլի կրիչների շուկայում, այնպես էլ սիլիցիումի կարբիդով պատված գրաֆիտային սկուտեղների շուկայում:
Բազային գրաֆիտի նյութի բնորոշ հատկությունները.
| Տեսանելի խտություն: | 1,85 գ/սմ3 |
| Էլեկտրական դիմադրողականություն. | 11 μΩm |
| Flexural Strenth: | 49 ՄՊա (500 կգֆ/սմ2) |
| Ափի կարծրություն. | 58 |
| Մոխիր: | <5 ppm |
| Ջերմային հաղորդունակություն. | 116 Վտ/մԿ (100 կկալ/մժ-℃) |
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ի հիմնական ֆիզիկական հատկություններըծածկույթ | |
| 性质 / Սեփականություն | 典型数值 / Typical Value |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC β փուլ 多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Խտություն | 3,21 գ/սմ³ |
| 硬度 / Կարծրություն | 2500 գրամ (500 գ բեռ) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2-10 մկմ |
| 纯度 / Քիմիական մաքրություն | 99,99995% |
| 热容 / Ջերմային հզորություն | 640 J·kg-1· Կ-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperature | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 ՄՊա RT 4-բալ |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt թեքում, 1300℃ |
| 导热系数 / Ջերմային հաղորդունակություն | 300W·m-1· Կ-1 |
| 热膨胀系数 / Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy-ը հարմարեցված գրաֆիտի և սիլիցիումի կարբիդի արտադրանքի իրական արտադրողն է տարբեր ծածկույթներով, ինչպիսիք են SiC ծածկույթը, TaC ծածկույթը, ապակյա ածխածնային ծածկույթը, պիրոլիտիկ ածխածնային ծածկույթը և այլն, կարող է մատակարարել տարբեր հարմարեցված մասեր կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային արդյունաբերության համար:
Մեր տեխնիկական թիմը գալիս է տեղական առաջատար հետազոտական հաստատություններից, կարող է ձեզ համար ավելի պրոֆեսիոնալ նյութական լուծումներ տրամադրել:
Մենք շարունակաբար զարգացնում ենք առաջադեմ գործընթացներ՝ ավելի առաջադեմ նյութեր տրամադրելու համար և մշակել ենք բացառիկ արտոնագրված տեխնոլոգիա, որը կարող է ծածկույթի և ենթաշերտի միջև կապը դարձնել ավելի ամուր և ավելի քիչ հակված տարանջատման:
Ջերմորեն ողջունում ենք ձեզ այցելել մեր գործարան, եկեք հետագա քննարկենք:
-
Գրաֆիտային ենթաշերտեր/կրիչներ սիլիկոնային կարբիով...
-
Սիլիկոնային կարբիդով պատված գրաֆիտային ենթաշերտ S...
-
Չինաստան արտադրող SiC Coated Graphite MOCVD Ep...
-
MOCVD Գրաֆիտի կրիչ CVD SiC ծածկույթով
-
SiC ծածկույթով գրաֆիտի ընկալիչ խորը ուլտրամանուշակագույն լուսադիոդային լուսադիոդային լուսադիոդների համար
-
Սիլիկոնային կարբիդի էպիտաքսիալ թիթեղների սկուտեղ կիսա...