SiC bevonatú grafit MOCVD ostyahordozók, grafit szuszceptorok a SiC epitaxiához,
Szénellátás szuszceptorok, grafit szuszceptorok, grafittálcák, SiC epitaxia, ostya szuszceptorok,

A CVD-SiC bevonat egységes szerkezettel, kompakt anyaggal, magas hőmérséklettel szembeni ellenállással, oxidációállósággal, nagy tisztasággal, sav- és lúgállósággal és szerves reagenssel rendelkezik, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal.

A nagy tisztaságú grafitanyagokhoz képest a grafit 400 C-on kezd oxidálódni, ami az oxidáció következtében porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést eredményez a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és megnöveli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.

A SiC bevonat azonban 1600 fokos fizikai és kémiai stabilitást képes fenntartani, széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.

Cégünk grafit, kerámia és egyéb anyagok felületén CVD módszerrel SiC bevonatolási eljárási szolgáltatásokat nyújt, így speciális szén- és szilíciumtartalmú gázok magas hőmérsékleten reakcióba lépve nagy tisztaságú SiC molekulákat, a bevont anyagok felületén lerakódott molekulákat, SIC védőréteget képez. A kialakult SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat adva a grafit alapnak, így a grafit felülete kompakt, porozitásmentes, magas hőmérsékletnek ellenálló, korrózióálló és oxidációálló.

Alkalmazás:

Főbb jellemzők:

1. Magas hőmérsékletű oxidációállóság:

az oxidációval szembeni ellenállás még 1700 C-os hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

A CVD-SIC bevonatok főbb specifikációi:

Ellátási képesség:

10000 darab/darab havonta
Csomagolás és szállítás:
Csomagolás: szabványos és erős csomagolás
Polizsák + doboz + karton + raklap
Kikötő:
Ningbo/Shenzhen/Sanghaj
Átfutási idő: