Hír

A speciális grafit típusai
az admintól 24-06-17
A speciális grafit nagy tisztaságú, nagy sűrűségű és nagy szilárdságú grafitanyag, kiváló korrózióállósággal, magas hőmérsékleti stabilitással és nagy elektromos vezetőképességgel rendelkezik. Természetes vagy mesterséges grafitból készül magas hőmérsékletű hőkezelés és nagynyomású feldolgozás után...
Olvass tovább
Vékonyréteg-leválasztó berendezések elemzése – a PECVD/LPCVD/ALD berendezések alapelvei és alkalmazásai
az admintól 24-06-12
A vékonyréteg-leválasztás célja egy filmréteg bevonása a félvezető fő hordozóanyagára. Ez a fólia különféle anyagokból készülhet, például szilícium-dioxid szigetelőanyagból, félvezető poliszilíciumból, fémrézből stb.
Olvass tovább
Fontos anyagok, amelyek meghatározzák a monokristályos szilícium növekedés minőségét – termikus mező
az admintól 24-06-12
A monokristályos szilícium növekedési folyamata teljes mértékben a termikus mezőben történik. A jó hőtér elősegíti a kristályok minőségének javítását, és magasabb a kristályosodási hatékonysága. A hőtér kialakítása nagymértékben meghatározza a hőmérsékleti gradiensek változásait...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid kristály növesztő kemence műszaki nehézségei?
az admintól 24-06-07
A kristálynövesztő kemence a szilícium-karbid kristálynövekedés fő berendezése. Hasonló a hagyományos kristályos szilícium minőségű kristálynövesztő kemencéhez. A kemence szerkezete nem túl bonyolult. Főleg kemencetestből, fűtési rendszerből, tekercs átviteli mechanizmusból áll...
Olvass tovább
Mik a szilícium-karbid epitaxiális réteg hibái?
az admintól 24-06-05
A SiC epitaxiális anyagok növekedésének alapvető technológiája elsősorban a hibaellenőrzési technológia, különösen az olyan hibakezelési technológia esetében, amely hajlamos az eszköz meghibásodására vagy a megbízhatóság romlására. Az epilátorba benyúló hordozóhibák mechanizmusának vizsgálata...
Olvass tovább
Oxidált álló szem és epitaxiális növekedési technológia-Ⅱ
admin által 24-05-30-án
2. Epitaxiális vékonyréteg-növekedés A szubsztrát fizikai hordozóréteget vagy vezető réteget biztosít a Ga2O3 tápegységeknek. A következő fontos réteg a csatornaréteg vagy epitaxiális réteg, amelyet a feszültségellenállásra és a hordozószállításra használnak. Az áttörési feszültség növelése és a feszültség minimalizálása érdekében...
Olvass tovább
Gallium-oxid egykristályos és epitaxiális növekedési technológia
admin által 24-05-30-án
Széles sávszélességű (WBG) félvezetők, amelyeket szilícium-karbid (SiC) és gallium-nitrid (GaN) képviselnek, széleskörű figyelmet kaptak. Az emberek nagy elvárásokat támasztanak a szilícium-karbid elektromos járművekben és elektromos hálózatokban való alkalmazási lehetőségeivel, valamint a gallium alkalmazási lehetőségeivel kapcsolatban...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?Ⅱ
admin által 24-05-22-én
A stabil teljesítményű, kiváló minőségű szilícium-karbid lapkák stabil tömeggyártásának technikai nehézségei a következők: 1) Mivel a kristályoknak 2000 °C feletti magas hőmérsékletű, zárt környezetben kell növekedniük, a hőmérséklet-szabályozási követelmények rendkívül magasak; 2) Mivel a szilícium-karbid...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?
admin által 24-05-22-én
A félvezető anyagok első generációját a hagyományos szilícium (Si) és germánium (Ge) képviseli, amelyek az integrált áramkör-gyártás alapját képezik. Széles körben használják alacsony feszültségű, alacsony frekvenciájú és kis teljesítményű tranzisztorokban és detektorokban. A félvezető termékek több mint 90%-a...
Olvass tovább