Hír

Mik a szilícium-karbid epitaxiális réteg hibái?
az admintól 24-06-05
A SiC epitaxiális anyagok növekedésének alapvető technológiája elsősorban a hibaellenőrzési technológia, különösen az olyan hibakezelési technológia esetében, amely hajlamos az eszköz meghibásodására vagy a megbízhatóság romlására. Az epilátorba benyúló hordozóhibák mechanizmusának vizsgálata...
Olvass tovább
Oxidált álló szem és epitaxiális növekedési technológia-Ⅱ
admin által 24-05-30-án
2. Epitaxiális vékonyréteg-növekedés A szubsztrát fizikai hordozóréteget vagy vezető réteget biztosít a Ga2O3 tápegységeknek. A következő fontos réteg a csatornaréteg vagy epitaxiális réteg, amelyet a feszültségellenállásra és a hordozószállításra használnak. Az áttörési feszültség növelése és a feszültség minimalizálása érdekében...
Olvass tovább
Gallium-oxid egykristályos és epitaxiális növekedési technológia
admin által 24-05-30-án
Széles sávszélességű (WBG) félvezetők, amelyeket szilícium-karbid (SiC) és gallium-nitrid (GaN) képviselnek, széleskörű figyelmet kaptak. Az emberek nagy elvárásokat támasztanak a szilícium-karbid elektromos járművekben és elektromos hálózatokban való alkalmazási lehetőségeivel, valamint a gallium alkalmazási lehetőségeivel kapcsolatban...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?Ⅱ
admin által 24-05-22-én
A stabil teljesítményű, kiváló minőségű szilícium-karbid lapkák stabil tömeggyártásának technikai nehézségei a következők: 1) Mivel a kristályoknak 2000 °C feletti magas hőmérsékletű, zárt környezetben kell növekedniük, a hőmérséklet-szabályozási követelmények rendkívül magasak; 2) Mivel a szilícium-karbid...
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid műszaki akadályai?
admin által 24-05-22-én
A félvezető anyagok első generációját a hagyományos szilícium (Si) és germánium (Ge) képviseli, amelyek az integrált áramkör-gyártás alapját képezik. Széles körben használják alacsony feszültségű, alacsony frekvenciájú és kis teljesítményű tranzisztorokban és detektorokban. A félvezető termékek több mint 90%-a...
Olvass tovább
Hogyan készül a SiC mikropor?
admin által 24-05-13-án
A SiC egykristály a IV-IV csoportba tartozó összetett félvezető anyag, amely két elemből, Si és C-ből áll, 1:1 sztöchiometrikus arányban. Keménysége a gyémánt után a második. A szilícium-oxid szén-dioxid redukciós módszere a SiC előállításához főként a következő kémiai reakció képletén alapul...
Olvass tovább
Hogyan segítik az epitaxiális rétegek a félvezető eszközöket?
admin által 24-05-13-án
Az epitaxiális ostya elnevezés eredete Először is népszerűsítsünk egy kis koncepciót: az ostyakészítés két fő láncszemet foglal magában: a szubsztrátum előkészítést és az epitaxiális folyamatot. A hordozó egy félvezető egykristály anyagból készült ostya. A hordozó közvetlenül bejuthat az ostyagyártóba...
Olvass tovább
A kémiai gőzleválasztásos (CVD) vékonyréteg-leválasztási technológia bemutatása
az admintól 24-05-06
A Chemical Vapor Deposition (CVD) egy fontos vékonyréteg-leválasztási technológia, amelyet gyakran használnak különféle funkcionális filmek és vékonyrétegű anyagok előállítására, és széles körben használják a félvezetőgyártásban és más területeken. 1. A CVD működési elve A CVD eljárás során egy gázprekurzor (egy vagy...
Olvass tovább
A „fekete arany” titka a fotovoltaikus félvezetőipar mögött: az izosztatikus grafit iránti vágy és függőség
az admintól 24-05-06
Az izosztatikus grafit nagyon fontos anyag a fotovoltaikában és a félvezetőkben. A hazai izosztatikus grafitgyártó cégek gyors felemelkedésével a külföldi vállalatok monopóliuma Kínában megtört. Folyamatos független kutatás-fejlesztéssel és technológiai áttörésekkel a ...
Olvass tovább