A VET Energy monokristályos 8 hüvelykes szilíciumlapkája iparágvezető megoldás a félvezetők és elektronikai eszközök gyártásához. Kiváló tisztaságú és kristályos szerkezetű lapkák ideálisak a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz mind a fotovoltaikus, mind a félvezetőiparban. A VET Energy gondoskodik arról, hogy minden ostyát aprólékosan dolgozzanak fel, hogy megfeleljenek a legmagasabb szabványoknak, kiváló egyenletességet és sima felületkezelést biztosítva, amelyek elengedhetetlenek a fejlett elektronikai eszközök gyártásához.
Ezek a monokristályos 8 hüvelykes szilícium ostyák számos anyaggal kompatibilisek, beleértve a Si Wafert, a SiC szubsztrátot, a SOI szeletet, a SiN szubsztrátot, és különösen alkalmasak az Epi Wafer növekedésére. Kiváló hővezető képességük és elektromos tulajdonságaik megbízható választássá teszik a nagy hatékonyságú gyártáshoz. Ezenkívül ezeket az ostyákat úgy tervezték, hogy zökkenőmentesen működjenek együtt olyan anyagokkal, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer, és az alkalmazások széles skáláját kínálják a teljesítményelektronikától az RF-eszközökig. Az ostyák kiválóan illeszkednek a nagy volumenű, automatizált gyártási környezetek kazettás rendszereibe is.
A VET Energy termékcsaládja nem korlátozódik a szilícium lapkákra. Félvezető hordozóanyagok széles skáláját kínáljuk, beleértve a SiC szubsztrátumot, SOI Wafert, SiN szubsztrátot, Epi Wafert stb., valamint új, széles sávú félvezető anyagokat, mint például a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafer. Ezek a termékek megfelelnek a különböző ügyfelek alkalmazási igényeinek teljesítményelektronika, rádiófrekvenciás, érzékelők és egyéb területeken.
A VET Energy személyre szabott ostyamegoldásokat kínál ügyfeleinek. Különböző ellenállású, oxigéntartalmú, vastagságú ostyákat az ügyfelek egyedi igényei szerint alakíthatunk ki. Ezenkívül professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is biztosítunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek a gyártási folyamat során felmerülő különféle problémák megoldásában.
WAVERING ELŐÍRÁSAI
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Ferde vágás |
FELÜLETKEZELÉS
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Felületi kidolgozás | Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP | ||||
Felületi érdesség | (10 x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm) | ||||
Behúzások | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Karcolások (Si-Face) | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | ||
Repedések | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Élek kizárása | 3 mm |