Sic Ceramic Target szilícium-karbid porlasztó céltábla bevonathoz, Sic rúd, szilikon rúd gépészethez

Rövid leírás:


Termék leírás

Termékcímkék

A „minőség, szolgáltatások, teljesítmény és növekedés” elméletéhez ragaszkodva hazai és nemzetközi vásárlóink ​​bizalmát és dicséretét kaptuk a kínai 99,5%-os IOS-tanúsítványért.Sic Kerámia TargetSzilícium-karbid porlasztási cél a bevonatokhoz, Fő célunk, hogy ügyfeleinknek világszerte jó minőséget, versenyképes árat, elégedett szállítást és kiváló szolgáltatásokat biztosítsunk.
A „minőség, szolgáltatások, teljesítmény és növekedés” elméletéhez ragaszkodva hazai és nemzetközi vásárlóink ​​bizalmát és dicséretét kaptukKínai szilícium-karbid porlasztó célpont, Sic Kerámia Target, Jelenleg szigorú és teljes minőség-ellenőrzési rendszerünk van, amely biztosítja, hogy minden termék megfeleljen az ügyfelek minőségi követelményeinek.Ezenkívül minden termékünket szigorúan ellenőriztük a szállítás előtt.

termékleírás

Szén / szén kompozitok(a továbbiakban: „C/C vagy CFC”) egyfajta kompozit anyag, amely szén alapú, és szénszállal és annak termékeivel megerősített (szénszál előforma).A szén tehetetlensége és a szénszál nagy szilárdsága egyaránt megvan.Jó mechanikai tulajdonságokkal, hőállósággal, korrózióállósággal, súrlódási csillapítással, valamint hő- és elektromos vezetőképességi jellemzőkkel rendelkezik

CVD-SiCA bevonat egységes szerkezetű, kompakt anyaggal, magas hőmérséklettel szembeni ellenállással, oxidációval szembeni ellenállással, nagy tisztasággal, sav- és lúgállósággal és szerves reagenssel rendelkezik, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal.

A nagy tisztaságú grafitanyagokhoz képest a grafit 400 C-on kezd oxidálódni, ami az oxidáció következtében porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést eredményez a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és megnöveli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.

A SiC bevonat azonban 1600 fokos fizikai és kémiai stabilitást képes fenntartani, széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.

Cégünk grafit, kerámia és egyéb anyagok felületén CVD módszerrel SiC bevonatolási eljárási szolgáltatásokat nyújt, így speciális szén- és szilíciumtartalmú gázok magas hőmérsékleten reakcióba lépve nagy tisztaságú SiC molekulákat, a bevont anyagok felületén lerakódott molekulákat, SIC védőréteget képez.A kialakult SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat adva a grafit alapnak, így a grafit felülete kompakt, porozitásmentes, magas hőmérséklet-álló, korrózióálló és oxidációálló.

 SiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokon

Főbb jellemzői:

1. Magas hőmérsékletű oxidációállóság:

az oxidációval szembeni ellenállás még 1600 C-os hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

 

A CVD-SIC bevonatok főbb specifikációi:

SiC-CVD

Sűrűség

(g/cc)

3.21

Hajlító szilárdság

(Mpa)

470

Hőtágulás

(10-6/K)

4

Hővezető

(W/mK)

300

Részletes képek

SiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokonSiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokonSiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokonSiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokonSiC bevonat feldolgozás grafit felületű MOCVD szuszceptorokon

céginformáció

111

Gyári berendezések

222

Raktár

333

Tanúsítványok

Tanúsítványok 22

 


  • Előző:
  • Következő:

  • WhatsApp online csevegés!