ICP Etch Carrier

Rövid leírás:

Származási hely:Kína

Kristály szerkezet:FCCβ fázis

Sűrűség:3,21 g/cm;

Keménység:2500 Vickers;

Szemcseméret:2~10μm;

Kémiai tisztaság:99,99995%;

Hőkapacitás:640 J·kg-1·K-1;

Szublimációs hőmérséklet:2700 ℃;

Felexurális erő:415 MPa (RT 4-pont);

Young modulusa:430 Gpa (4 pt kanyar, 1300 ℃);

Hőtágulás (CTE):4,5 10-6K-1;

Hővezetőképesség:300 W/MK;

Küldjön e-mailt nekünk Letöltés PDF formátumban

Termék részletek

Termékcímkék

Termékleírás

Cégünk grafit, kerámia és egyéb anyagok felületén CVD módszerrel SiC bevonatolási eljárási szolgáltatásokat nyújt, így speciális szén- és szilíciumtartalmú gázok magas hőmérsékleten reakcióba lépve nagy tisztaságú SiC molekulákat, a bevont anyagok felületén lerakódott molekulákat, SIC védőréteget képez.

Főbb jellemzők:

1. Magas hőmérsékletű oxidációállóság:

az oxidációval szembeni ellenállás még 1600 C-os hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J·kg-1 ·K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (CTE)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300