PECVD Graphite Wafer Sipò

Deskripsyon kout:

Ki fèt pou presizyon ak pèfòmans, Graphite Wafer Support VET Energy a se materyèl ideyal pou itilize nan pwosesis avanse wafer, kote gwo estabilite tèmik ak pèfòmans konsistan yo kritik. Si w ap travay ak plak semi-conducteurs oswa lòt substra delika, sipò grafit-wo kalite sa a pral amelyore fyab pwosesis ou ak bon jan kalite pwodwi, fè li yon eleman endispansab pou manifakti modèn.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Pwosesis VET Enèji PECVD sipò wafer grafit se yon konsome debaz ki fèt pou pwosesis PECVD (plasma amelyore depo vapè chimik). Pwodui sa a fèt ak pite segondè, segondè-dansite grafit materyèl, ak ekselan rezistans tanperati wo, rezistans korozyon, estabilite dimansyon ak lòt karakteristik, ka bay yon platfòm sipò ki estab pou pwosesis PECVD, asire inifòmite a ak flatness nan depo fim.

Konsepsyon "grafit sipò" nan VET Energy graphite wafer sipò ka pa sèlman efektivman sipòte wafer la, men tou, bay estabilite tèmik nan tanperati ki wo ak presyon PECVD anviwònman an asire estabilite nan pwosesis la.

VET Enèji PECVD pwosesis sipò wafer grafit gen karakteristik sa yo:

▪Segondè pite:trè ba kontni enpurte, evite kontaminasyon nan fim nan, asire bon jan kalite a nan fim nan.

▪Segondè dansite:segondè dansite, segondè fòs mekanik, ka kenbe tèt ak tanperati ki wo ak gwo presyon anviwònman PECVD.

▪Bon estabilite dimansyon:ti chanjman dimansyon nan tanperati ki wo pou asire estabilite nan pwosesis la.

▪Ekselan konduktiviti tèmik:efektivman transfere chalè pou anpeche surchof wafer.

▪Bonjan rezistans korozyon:Kapab reziste ewozyon pa divès gaz korozivite ak plasma.

▪Sèvis Customized:Tab sipò grafit nan diferan gwosè ak fòm yo ka Customized selon bezwen kliyan yo.

Materyèl grafit soti nan SGL:

Paramèt tipik: R6510
Endèks	Tès estanda	Valè	Inite
Mwayèn gwosè grenn	ISO 13320	10	μm
Dansite esansyèl	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Louvri porosite	DIN66133	10	%
Mwayen gwosè pò	DIN66133	1.8	μm
Pèmeyabilite	DIN 51935	0.06	cm²/s
Rockwell dite HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Espesifik rezistivite elektrik	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Fòs flexural	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Fòs konpresyon	DIN 51910	130	MPa
Modil Young la	DIN 51915	11.5 × 10³	MPa
Ekspansyon tèmik (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Konduktivite tèmik (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Li fèt espesyalman pou fabrikasyon selil solè wo-efikasite, sipòte G12 gwo-gwosè pwosesis wafer. Konsepsyon konpayi asirans optimize ogmante siyifikativman debi, sa ki pèmèt pi gwo pousantaj sede ak pi ba pri pwodiksyon.

Atik	Kalite	Nimewo transpòtè wafer
PEVCD Grephite bato - Seri 156 la	156-13 bato grefit	144
	156-19 bato grefit	216
	156-21 bato grefit	240
	156-23 bato grafit	308
PEVCD Grephite bato - Seri 125 la	125-15 bato grefit	196
	125-19 bato grefit	252
	125-21 bato grphite	280