PECVD Loading Plato Depozisyon Graphite Plato

Deskripsyon kout:

Plato chaje PECVD VET Energy a fèt pou bay sipò an sekirite e menm pou wafers pandan depo, amelyore konsistans ak kalite pwosesis depo a. Avèk ekselan rezistans chalè li yo, Plato Graphite a ede kenbe yon anviwònman kontwole andedan chanm PECVD, diminye risk pou kontaminasyon ak asire efikasite pwosesis segondè.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

VET Enèji PECVD chaje plato se yon konpayi asirans presizyon ki fèt pou pwosesis PECVD (plasma amelyore depo chimik vapè). Plato grafit depo-wo kalite sa a fèt ak pite segondè, materyèl grafit segondè-dansite. Li gen ekselan rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon, estabilite dimansyon ak lòt karakteristik. Li ka bay yon platfòm konpayi asirans ki estab pou pwosesis PECVD epi asire inifòmite ak flate nan depo fim.

VET Enèji PECVD chaje plato yo lajman ki itilize nan semi-conducteurs, fotovoltaik, dirije ak lòt jaden. Pou egzanp:

▪ Semiconductor: Pwosesis PECVD pou materyèl semi-conducteurs tankou silisyòm wafers ak epitaxial wafers.

▪ Fotovoltaik: Pwosesis PECVD pou fim mens selil solè.

▪ Dirije: Pwosesis PECVD pou chips ki ap dirije.

Avantaj pwodwi yo

▪Amelyore kalite fim:Asire depo fim inifòm ak amelyore kalite fim.

▪Pwolonje lavi ekipman:Ekselan rezistans korozyon, pwolonje lavi sa a ki sèvis nan ekipman PECVD.

▪Diminye pri pwodiksyon:Plato grafit bon jan kalite ka diminye pousantaj bouyon epi redwi depans pwodiksyon an.

Materyèl grafit soti nan SGL:

Paramèt tipik: R6510
Endèks	Tès estanda	Valè	Inite
Mwayèn gwosè grenn	ISO 13320	10	μm
Dansite esansyèl	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Louvri porosite	DIN66133	10	%
Mwayen gwosè pò	DIN66133	1.8	μm
Pèmeyabilite	DIN 51935	0.06	cm²/s
Rockwell dite HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Espesifik rezistivite elektrik	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Fòs flexural	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Fòs konpresyon	DIN 51910	130	MPa
Modil Young la	DIN 51915	11.5 × 10³	MPa
Ekspansyon tèmik (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Konduktivite tèmik (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Li fèt espesyalman pou fabrikasyon selil solè wo-efikasite, sipòte G12 gwo-gwosè pwosesis wafer. Konsepsyon konpayi asirans optimize ogmante siyifikativman debi, sa ki pèmèt pi gwo pousantaj sede ak pi ba pri pwodiksyon.

Atik	Kalite	Nimewo transpòtè wafer
PEVCD Grephite bato - Seri 156 la	156-13 bato grefit	144
	156-19 bato grefit	216
	156-21 bato grefit	240
	156-23 bato grafit	308
PEVCD Grephite bato - Seri 125 la	125-15 bato grefit	196
	125-19 bato grefit	252
	125-21 bato grphite	280