Monokristalin 8 Pous Silisyòm Wafer ki soti nan VET Enèji se yon solisyon endistri-dirijan pou fabrikasyon semi-conducteurs ak aparèy elektwonik. Ofri pite siperyè ak estrikti cristalline, wafers sa yo ideyal pou aplikasyon pou pèfòmans segondè nan tou de endistri fotovoltaik ak semi-conducteurs. Enèji VET asire ke chak wafer trete metikuleu pou satisfè estanda ki pi wo yo, bay inifòmite ekselan ak fini sifas lis, ki esansyèl pou pwodiksyon aparèy elektwonik avanse.
Wafers Silisyòm monokristalin 8 pous sa yo konpatib ak yon seri materyèl, tankou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, epi yo patikilyèman adapte pou kwasans Epi Wafer. Siperyè konduktiviti tèmik yo ak pwopriyete elektrik yo fè yo yon chwa serye pou fabrikasyon wo-efikasite. Anplis de sa, wafers sa yo fèt pou travay san pwoblèm ak materyèl tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, ki ofri yon pakèt aplikasyon pou soti nan elektwonik pouvwa ak aparèy RF. Wafers yo tou anfòm parfe nan sistèm kasèt pou gwo volim, anviwònman pwodiksyon otomatik yo.
Liy pwodwi VET Energy a pa limite a silisyòm wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semiconductor, ki gen ladan SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, osi byen ke nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt jaden.
VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized. Nou ka Customize wafers ak diferan rezistivite, kontni oksijèn, epesè, elatriye selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan rezoud pwoblèm divès kalite rankontre pandan pwosesis pwodiksyon an.
SPECIFIKASYON WAFERING
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bizote |
FINI SIfas
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Sifas fini | Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm) | ||||
Tire | Okenn Pèmèt | ||||
Rayures (Si-Face) | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | ||
Fant | Okenn Pèmèt | ||||
Eksklizyon Edge | 3mm |