Vijesti

Karakteristike grafitnog kalupa od silicij karbida
od admina 24-07-18
Grafitni kalup od silicij-karbida Grafitni kalup od silicij-karbida je kompozitni kalup sa silicij-karbidom (SiC) kao bazom i grafitom kao materijalom za pojačanje. Ovaj kalup ima izvrsnu toplinsku vodljivost, otpornost na visoke temperature, otpornost na koroziju i otpornost na habanje...
Pročitaj više
Poluvodički proces puni proces fotolitografije
od admina 24-07-16
Proizvodnja svakog poluvodičkog proizvoda zahtijeva stotine procesa. Cijeli proces proizvodnje dijelimo u osam koraka: obrada pločica-oksidacija-fotolitografija-jetkanje-taloženje tankog filma-epitaksijalni rast-difuzija-ionska implantacija. Da vam pomognem...
Pročitaj više
4 milijarde! SK Hynix najavljuje ulaganje u napredno pakiranje poluvodiča u istraživačkom parku Purdue
od strane admina 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. najavio je planove za ulaganje od gotovo 4 milijarde dolara za izgradnju naprednog pogona za proizvodnju ambalaže i istraživanja i razvoja za proizvode umjetne inteligencije u Purdue Research Parku. Uspostavljanje ključne karike u lancu opskrbe poluvodiča u SAD-u u West Lafayettu...
Pročitaj više
Laserska tehnologija predvodi transformaciju tehnologije obrade supstrata od silicij karbida
od strane admina 24-07-08
1. Pregled tehnologije obrade supstrata od silicij-karbida Trenutačni koraci obrade supstrata od silicij-karbida uključuju: brušenje vanjskog kruga, rezanje, skošenje, brušenje, poliranje, čišćenje itd. Rezanje je važan korak u obradi poluvodičkih supstrata...
Pročitaj više
Glavni materijali toplinskog polja: C/C kompozitni materijali
od admina 24-07-01
Ugljik-ugljik kompoziti su vrsta kompozita ugljičnih vlakana, s ugljičnim vlaknima kao materijalom za pojačanje i taloženim ugljikom kao materijalom matrice. Matrica C/C kompozita je ugljik. Budući da se gotovo u potpunosti sastoji od elementarnog ugljika, ima izvrsnu otpornost na visoke temperature...
Pročitaj više
Tri glavne tehnike za rast kristala SiC
od admina 24-07-01
Kao što je prikazano na slici 3, postoje tri dominantne tehnike koje imaju za cilj osigurati monokristal SiC visoke kvalitete i učinkovitosti: epitaksija tekuće faze (LPE), fizički prijenos pare (PVT) i visokotemperaturno kemijsko taloženje parom (HTCVD). PVT je dobro uspostavljen proces za proizvodnju SiC sin...
Pročitaj više
Treća generacija poluvodiča GaN i srodne epitaksijalne tehnologije kratki uvod
od admina 24-06-28
1. Poluvodiči treće generacije Tehnologija poluvodiča prve generacije razvijena je na temelju poluvodičkih materijala kao što su Si i Ge. To je materijalna osnova za razvoj tranzistora i tehnologije integriranih krugova. Poluvodički materijali prve generacije postavili su početak...
Pročitaj više
23,5 milijardi, Suzhouov super jednorog ide na IPO
od admina 24-06-28
Nakon 9 godina poduzetništva, Innoscience je prikupio više od 6 milijardi juana u ukupnom financiranju, a njegova procjena dosegla je nevjerojatnih 23,5 milijardi juana. Lista investitora dugačka je kao i deseci kompanija: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Pročitaj više
Kako proizvodi presvučeni tantal karbidom povećavaju otpornost materijala na koroziju?
od admina 24-06-25
Premaz tantal karbidom je često korištena tehnologija površinske obrade koja može značajno poboljšati otpornost materijala na koroziju. Prevlaka od tantal karbida može se pričvrstiti na površinu podloge različitim metodama pripreme, kao što su kemijsko taloženje iz pare, fizikalna...
Pročitaj više