SiC लेपित ग्रेफाइट हाफमून भागis a चाबीसेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाने वाला घटक, विशेष रूप से SiC एपिटैक्सियल उपकरण के लिए।हम अर्धचंद्र भाग बनाने के लिए अपनी पेटेंट तकनीक का उपयोग करते हैंअत्यंत उच्च शुद्धता,अच्छाकलई करनाएकरूपताऔर एक उत्कृष्ट सेवा जीवन, साथ हीउच्च रासायनिक प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता गुण।
वीईटी एनर्जी है सीवीडी कोटिंग के साथ अनुकूलित ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादों के वास्तविक निर्माता,आपूर्ति कर सकते हैंविभिन्नसेमीकंडक्टर और फोटोवोल्टिक उद्योग के लिए अनुकूलित हिस्से। Oआपकी तकनीकी टीम शीर्ष घरेलू अनुसंधान संस्थानों से आती है, जो अधिक पेशेवर सामग्री समाधान प्रदान कर सकती हैआपके लिए।
हम अधिक उन्नत सामग्री प्रदान करने के लिए लगातार उन्नत प्रक्रियाएं विकसित करते हैं,औरने एक विशेष पेटेंट तकनीक पर काम किया है, जो कोटिंग और सब्सट्रेट के बीच के बंधन को मजबूत बना सकती है और अलग होने की संभावना कम हो सकती है।
Fहमारे उत्पादों के खाद्य पदार्थ:
1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध 1700 तक℃.
2. उच्च शुद्धता औरतापीय एकरूपता
3. उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
4. उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
5. लंबी सेवा जीवन और अधिक टिकाऊ
| सीवीडी SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC के बुनियादी भौतिक गुणकलई करना | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मूल्य |
| यह बहुत अच्छा है / क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण多晶,主要为(111）取向 |
| 密度 / घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी³ |
| 硬度 / कठोरता | 2500 ग्राम वजन (500 ग्राम लोड) |
| 晶粒大小 / अनाज आकार | 2~10μm |
| 纯度 /रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / ताप की गुंजाइश | 640 जे·किग्रा-1·के-1 |
| 升华温度 / ऊर्ध्वपातन तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / आनमनी सार्मथ्य | 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 /यंग का मापांक | 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माएलप्रवाहकत्त्व | 300W·m-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / थर्मल विस्तार (सीटीई) | 4.5×10-6K-1 |
हमारे कारखाने का दौरा करने के लिए आपका हार्दिक स्वागत है, आइए आगे चर्चा करें!
