सेमीकंडक्टर, ग्रेफाइट ट्रे, सिक ग्रेफाइट एपिटेक्सी ससेप्टर्स के लिए ग्रेफाइट सब्सट्रेट की SiC कोटिंग/लेपित

संक्षिप्त वर्णन:

 


  • उत्पत्ति का स्थान:झेजियांग, चीन (मुख्यभूमि)
  • मॉडल संख्या:नाव3004
  • रासायनिक संरचना:SiC लेपित ग्रेफाइट
  • आनमनी सार्मथ्य:470 एमपीए
  • ऊष्मीय चालकता:300 डब्लू/एमके
  • गुणवत्ता:उत्तम
  • समारोह:सीवीडी-SiC
  • आवेदन पत्र:सेमीकंडक्टर/फोटोवोल्टिक
  • घनत्व:3.21 ग्राम/सीसी
  • थर्मल विस्तार:4 10-6/के
  • राख: <5पीपीएम
  • नमूना:उपलब्ध
  • एचएस कोड:6903100000
  • उत्पाद विवरण

    उत्पाद टैग

    सेमीकंडक्टर के लिए ग्रेफाइट सब्सट्रेट की SiC कोटिंग/लेपित,ग्रेफाइट ट्रे,सिक ग्रेफाइटएपिटेक्सी रिसेप्टर्स,
    कार्बन संग्राहकों की आपूर्ति करता है, एपिटैक्सी और एमओसीवीडी, एपिटेक्सी रिसेप्टर्स, ग्रेफाइट ट्रे, वेफर ससेप्टर्स,

    उत्पाद वर्णन

    सीवीडी-एसआईसी कोटिंग में स्थिर भौतिक और रासायनिक गुणों के साथ समान संरचना, कॉम्पैक्ट सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, एसिड और क्षार प्रतिरोध और कार्बनिक अभिकर्मक की विशेषताएं हैं।

    उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट सामग्रियों की तुलना में, ग्रेफाइट 400C पर ऑक्सीकरण करना शुरू कर देता है, जिससे ऑक्सीकरण के कारण पाउडर का नुकसान होगा, जिसके परिणामस्वरूप परिधीय उपकरणों और वैक्यूम कक्षों में पर्यावरण प्रदूषण होगा, और उच्च शुद्धता वाले वातावरण की अशुद्धियां बढ़ जाएंगी।

    हालाँकि, SiC कोटिंग 1600 डिग्री पर भौतिक और रासायनिक स्थिरता बनाए रख सकती है, इसका व्यापक रूप से आधुनिक उद्योग में उपयोग किया जाता है, विशेष रूप से अर्धचालक उद्योग में।

    हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है, ताकि कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणुओं, लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा अणुओं को प्राप्त कर सकें। एसआईसी सुरक्षात्मक परत का निर्माण। गठित एसआईसी को ग्रेफाइट बेस से मजबूती से जोड़ा जाता है, जिससे ग्रेफाइट बेस को विशेष गुण मिलते हैं, जिससे ग्रेफाइट की सतह कॉम्पैक्ट, सरंध्रता-मुक्त, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और ऑक्सीकरण प्रतिरोध बन जाती है।

    मुख्य विशेषताएं:

    1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

    जब तापमान 1700 C तक हो तो ऑक्सीकरण प्रतिरोध अभी भी बहुत अच्छा है।

    2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थिति के तहत रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाई गई।

    3. कटाव प्रतिरोध: उच्च कठोरता, कॉम्पैक्ट सतह, महीन कण।

    4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।

    सीवीडी-एसआईसी कोटिंग्स की मुख्य विशिष्टताएँ:

    SiC-सीवीडी

    घनत्व

    (जी/सीसी)

    3.21

    आनमनी सार्मथ्य

    (एमपीए)

    470

    थर्मल विस्तार

    (10-6/के)

    4

    ऊष्मीय चालकता

    (डब्ल्यू/एमके)

    300

    आपूर्ति की योग्यता:

    प्रति माह 10000 पीस/टुकड़े
    पैकेजिंग एवं डिलिवरी:
    पैकिंग: मानक एवं मजबूत पैकिंग
    पॉली बैग + बॉक्स + कार्टन + पैलेट
    पत्तन:
    निंगबो/शेन्ज़ेन/शंघाई
    समय सीमा:

    मात्रा(टुकड़े) 1 - 1000 >1000
    ईएसटी। समय(दिन) 15 बातचीत करने के लिए


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