समाचार

वाष्प चरण एपिटेक्सी के लिए आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले पेडस्टल
24-07-30 को व्यवस्थापक द्वारा
वाष्प चरण एपिटैक्सी (वीपीई) प्रक्रिया के दौरान, पेडस्टल की भूमिका सब्सट्रेट का समर्थन करना और विकास प्रक्रिया के दौरान समान हीटिंग सुनिश्चित करना है। विभिन्न प्रकार के पेडस्टल विभिन्न विकास स्थितियों और सामग्री प्रणालियों के लिए उपयुक्त हैं। निम्नलिखित कुछ हैं...
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टैंटलम कार्बाइड लेपित उत्पादों का सेवा जीवन कैसे बढ़ाया जाए?
24-07-26 को व्यवस्थापक द्वारा
टैंटलम कार्बाइड लेपित उत्पाद आमतौर पर उपयोग की जाने वाली उच्च तापमान वाली सामग्री हैं, जो उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, पहनने के प्रतिरोध आदि की विशेषता रखते हैं। इसलिए, उनका व्यापक रूप से एयरोस्पेस, रसायन और ऊर्जा जैसे उद्योगों में उपयोग किया जाता है। पूर्व करने के लिए...
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सेमीकंडक्टर सीवीडी उपकरण में पीईसीवीडी और एलपीसीवीडी के बीच क्या अंतर है?
24-07-24 को व्यवस्थापक द्वारा
रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) गैस मिश्रण की रासायनिक प्रतिक्रिया के माध्यम से सिलिकॉन वेफर की सतह पर एक ठोस फिल्म जमा करने की प्रक्रिया को संदर्भित करता है। विभिन्न प्रतिक्रिया स्थितियों (दबाव, अग्रदूत) के अनुसार, इसे विभिन्न उपकरणों में विभाजित किया जा सकता है...
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सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड के लक्षण
24-07-18 को एडमिन द्वारा
सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड सिलिकॉन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड आधार के रूप में सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और सुदृढीकरण सामग्री के रूप में ग्रेफाइट के साथ एक मिश्रित मोल्ड है। इस साँचे में उत्कृष्ट तापीय चालकता, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और...
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सेमीकंडक्टर प्रक्रिया फोटोलिथोग्राफी की पूरी प्रक्रिया
24-07-16 को व्यवस्थापक द्वारा
प्रत्येक अर्धचालक उत्पाद के निर्माण के लिए सैकड़ों प्रक्रियाओं की आवश्यकता होती है। हम संपूर्ण विनिर्माण प्रक्रिया को आठ चरणों में विभाजित करते हैं: वेफर प्रसंस्करण-ऑक्सीकरण-फोटोलिथोग्राफी-नक़्क़ाशी-पतली फिल्म जमाव-एपिटैक्सियल वृद्धि-प्रसार-आयन आरोपण। आपकी मदद करने के लिए...
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4 अरब! एसके हाइनिक्स ने पर्ड्यू रिसर्च पार्क में सेमीकंडक्टर उन्नत पैकेजिंग निवेश की घोषणा की
24-07-09 को व्यवस्थापक द्वारा
वेस्ट लाफायेट, इंडियाना - एसके हाइनिक्स इंक ने पर्ड्यू रिसर्च पार्क में कृत्रिम बुद्धिमत्ता उत्पादों के लिए एक उन्नत पैकेजिंग विनिर्माण और अनुसंधान एवं विकास सुविधा के निर्माण के लिए लगभग 4 बिलियन डॉलर का निवेश करने की योजना की घोषणा की। वेस्ट लाफयेट में अमेरिकी सेमीकंडक्टर आपूर्ति श्रृंखला में एक महत्वपूर्ण कड़ी स्थापित करना...
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लेजर तकनीक सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के परिवर्तन का नेतृत्व करती है
24-07-08 को व्यवस्थापक द्वारा
1. सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी का अवलोकन वर्तमान सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण चरणों में शामिल हैं: बाहरी सर्कल को पीसना, स्लाइस करना, चम्फरिंग, पीसना, पॉलिश करना, सफाई करना आदि। सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट प्रसंस्करण में स्लाइसिंग एक महत्वपूर्ण कदम है...
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मुख्यधारा थर्मल क्षेत्र सामग्री: सी/सी मिश्रित सामग्री
24-07-01 को व्यवस्थापक द्वारा
कार्बन-कार्बन कंपोजिट एक प्रकार का कार्बन फाइबर कंपोजिट है, जिसमें कार्बन फाइबर सुदृढीकरण सामग्री के रूप में और जमा कार्बन मैट्रिक्स सामग्री के रूप में होता है। C/C कंपोजिट का मैट्रिक्स कार्बन है। चूँकि यह लगभग पूरी तरह से मौलिक कार्बन से बना है, इसमें उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध है...
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SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए तीन प्रमुख तकनीकें
24-07-01 को व्यवस्थापक द्वारा
जैसा कि चित्र 3 में दिखाया गया है, तीन प्रमुख तकनीकें हैं जिनका लक्ष्य SiC एकल क्रिस्टल को उच्च गुणवत्ता और दक्षता प्रदान करना है: तरल चरण एपिटैक्सी (LPE), भौतिक वाष्प परिवहन (PVT), और उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (HTCVD)। PVT SiC पाप के उत्पादन के लिए एक सुस्थापित प्रक्रिया है...
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