सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एक नया यौगिक अर्धचालक पदार्थ है। सिलिकॉन कार्बाइड में एक बड़ा बैंड गैप (लगभग 3 गुना सिलिकॉन), उच्च महत्वपूर्ण क्षेत्र शक्ति (लगभग 10 गुना सिलिकॉन), उच्च तापीय चालकता (लगभग 3 गुना सिलिकॉन) होता है। यह अगली पीढ़ी का एक महत्वपूर्ण अर्धचालक पदार्थ है। SiC कोटिंग्स का व्यापक रूप से अर्धचालक उद्योग और सौर फोटोवोल्टिक में उपयोग किया जाता है। विशेष रूप से, एलईडी और सी सिंगल क्रिस्टल एपिटेक्सी के एपिटैक्सियल विकास में उपयोग किए जाने वाले रिसेप्टर्स को सीआईसी कोटिंग के उपयोग की आवश्यकता होती है। प्रकाश और प्रदर्शन उद्योग में एलईडी की मजबूत वृद्धि की प्रवृत्ति और अर्धचालक उद्योग के जोरदार विकास के कारण,SiC कोटिंग उत्पादसंभावनाएं बहुत अच्छी हैं.
आवेदन क्षेत्र
शुद्धता, एसईएम संरचना, मोटाई का विश्लेषणSiC कोटिंग
सीवीडी का उपयोग करके ग्रेफाइट पर SiC कोटिंग्स की शुद्धता 99.9995% तक है। इसकी संरचना एफसीसी है. ग्रेफाइट पर लेपित SiC फिल्में (111) उन्मुख हैं जैसा कि एक्सआरडी डेटा (चित्र 1) में दिखाया गया है जो इसकी उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता को दर्शाता है। जैसा कि चित्र 2 में दिखाया गया है, SiC फिल्म की मोटाई बहुत एक समान है।
चित्र 2: ग्रेफाइट पर बीटा-SiC फिल्म की SiC फिल्मों SEM और XRD की मोटाई एक समान
सीवीडी SiC पतली फिल्म का SEM डेटा, क्रिस्टल का आकार 2 ~ 1 Opm है
सीवीडी सीआईसी फिल्म की क्रिस्टल संरचना एक चेहरा-केंद्रित घन संरचना है, और फिल्म विकास अभिविन्यास 100% के करीब है
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपितबेस सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन और GaN एपिटैक्सी के लिए सबसे अच्छा आधार है, जो एपिटैक्सी फर्नेस का मुख्य घटक है। आधार बड़े एकीकृत सर्किट के लिए मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए एक प्रमुख उत्पादन सहायक है। इसमें उच्च शुद्धता, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, अच्छी वायु जकड़न और अन्य उत्कृष्ट सामग्री विशेषताएं हैं।
उत्पाद अनुप्रयोग और उपयोग
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए ग्रेफाइट बेस कोटिंग, एक्सट्रॉन मशीनों आदि के लिए उपयुक्त, कोटिंग की मोटाई: 90~150um, वेफर क्रेटर का व्यास 55 मिमी है।
पोस्ट करने का समय: मार्च-14-2022