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2022 उच्च गुणवत्ता वाले MOCVD ससेप्टर चीन में ऑनलाइन खरीदें
स्पष्ट घनत्व: | 1.85 ग्राम/सेमी3 |
विद्युत प्रतिरोधकता: | 11 μΩm |
फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ: | 49 एमपीए (500किग्रा/सेमी2) |
किनारों का कड़ापन: | 58 |
राख: | <5पीपीएम |
ऊष्मीय चालकता: | 116 डब्लू/एमके (100 किलो कैलोरी/एमएचआर-℃) |
वेफर लगभग 1 मिलीमीटर मोटा सिलिकॉन का एक टुकड़ा होता है जिसकी तकनीकी रूप से बहुत अधिक मांग वाली प्रक्रियाओं के कारण बेहद सपाट सतह होती है। बाद का उपयोग यह निर्धारित करता है कि क्रिस्टल उगाने की कौन सी प्रक्रिया नियोजित की जानी चाहिए। उदाहरण के लिए, Czochralski प्रक्रिया में, पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन को पिघलाया जाता है और एक पेंसिल-पतले बीज क्रिस्टल को पिघले हुए सिलिकॉन में डुबोया जाता है। फिर बीज क्रिस्टल को घुमाया जाता है और धीरे-धीरे ऊपर की ओर खींचा जाता है। एक बहुत भारी कोलोसस, एक मोनोक्रिस्टल, परिणामित होता है। उच्च शुद्धता वाले डोपेंट की छोटी इकाइयों को जोड़कर मोनोक्रिस्टल की विद्युत विशेषताओं का चयन करना संभव है। क्रिस्टल को ग्राहक के विनिर्देशों के अनुसार डोप किया जाता है और फिर पॉलिश किया जाता है और स्लाइस में काट दिया जाता है। विभिन्न अतिरिक्त उत्पादन चरणों के बाद, ग्राहक को विशेष पैकेजिंग में इसके निर्दिष्ट वेफर्स प्राप्त होते हैं, जो ग्राहक को अपनी उत्पादन लाइन में वेफर का तुरंत उपयोग करने की अनुमति देता है।
इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग के लिए तैयार होने से पहले एक वेफर को कई चरणों से गुजरना पड़ता है। एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया सिलिकॉन एपिटैक्सी है, जिसमें वेफर्स को ग्रेफाइट रिसेप्टर्स पर ले जाया जाता है। रिसेप्टर्स के गुणों और गुणवत्ता का वेफर की एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है।
एपिटैक्सी या एमओसीवीडी जैसे पतली फिल्म जमाव चरणों के लिए, वीईटी सब्सट्रेट्स या "वेफर्स" का समर्थन करने के लिए उपयोग किए जाने वाले अल्ट्रा-शुद्ध ग्रेफाइट उपकरण की आपूर्ति करता है। प्रक्रिया के मूल में, यह उपकरण, एमओसीवीडी के लिए एपिटेक्सी रिसेप्टर्स या सैटेलाइट प्लेटफॉर्म, पहले जमाव पर्यावरण के अधीन हैं:
उच्च तापमान।
उच्च निर्वात.
आक्रामक गैसीय पूर्ववर्तियों का उपयोग.
शून्य संदूषण, छीलने की अनुपस्थिति.
सफाई कार्यों के दौरान मजबूत एसिड का प्रतिरोध