Revestimento de SiC/revestido de substrato de grafito para semiconductores,Bandexas de grafito,Sic Grafitosusceptores de epitaxia,
O carbono proporciona susceptores, EPITAXIA E MOCVD, susceptores de epitaxia, Bandexas de grafito, Susceptores de obleas,
O revestimento CVD-SiC ten as características de estrutura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia á oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos e álcalis e reactivo orgánico, con propiedades físicas e químicas estables.
En comparación cos materiais de grafito de alta pureza, o grafito comeza a oxidarse a 400 °C, o que provocará unha perda de po debido á oxidación, o que provocará contaminación ambiental para dispositivos periféricos e cámaras de baleiro e aumentará as impurezas do ambiente de alta pureza.
Non obstante, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graos, é amplamente utilizado na industria moderna, especialmente na industria de semicondutores.
A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC. O SIC formado está firmemente unido á base de grafito, dándolle propiedades especiais á base de grafito, facendo que a superficie do grafito sexa compacta, libre de porosidade, resistencia a altas temperaturas, resistencia á corrosión e á oxidación.
Principais características:
1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:
a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1700 C.
2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.
Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc)
| 3.21 |
Resistencia á flexión | (Mpa)
| 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4
|
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:
Cantidade (unidades) | 1-1000 | > 1000 |
Est. Tempo (días) | 15 | Para ser negociado |