Portadores de obleas MOCVD de grafito de revestimento de SiC, susceptores de grafito para epitaxia de SiC,
Susceptores de subministración de carbono, Susceptores de grafito, Bandexas de grafito, Epitaxia SiC, Susceptores de obleas,
O revestimento CVD-SiC ten as características de estrutura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia á oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos e álcalis e reactivo orgánico, con propiedades físicas e químicas estables.
En comparación cos materiais de grafito de alta pureza, o grafito comeza a oxidarse a 400 °C, o que provocará unha perda de po debido á oxidación, o que provocará contaminación ambiental para dispositivos periféricos e cámaras de baleiro e aumentará as impurezas do ambiente de alta pureza.
Non obstante, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graos, é amplamente utilizado na industria moderna, especialmente na industria de semicondutores.
A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC. O SIC formado está firmemente unido á base de grafito, dándolle propiedades especiais á base de grafito, facendo que a superficie do grafito sexa compacta, libre de porosidade, resistencia a altas temperaturas, resistencia á corrosión e á oxidación.
Aplicación:
Principais características:
1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:
a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1700 C.
2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.
Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc)
| 3.21 |
Resistencia á flexión | (Mpa)
| 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4
|
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:
Cantidade (unidades) | 1-1000 | > 1000 |
Est. Tempo (días) | 15 | Para ser negociado |