Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxialé un dispositivo de apoio e calefacción especialmente deseñado que se usa para suxeitar e quentar substratos semicondutores durante procesos de fabricación como procesos de deposición ou epitaxia.

A súa estrutura inclúe tipicamente cilíndrico ou lixeiramente en forma de barril, a superficie presenta múltiples petos ou plataformas para colocar as obleas, pode ser de deseño sólido ou oco, dependendo do método de quecemento.

As principais funcións do susceptor de barril epitaxial:

-Soporte de substrato: sostén de forma segura varias obleas de semicondutores;
-Fonte de calor: proporciona as altas temperaturas necesarias para o crecemento mediante a calefacción;
-Uniformidade da temperatura: garante un quecemento uniforme dos substratos;
-Rotación: adoita rotar durante o crecemento para mellorar a temperatura e a uniformidade da distribución dos gases.

Principio de funcionamento do susceptor de barril de grafito Epi:
- No reactor epitaxial, o susceptor do barril quéntase á temperatura necesaria (normalmente 1000 ℃-1200 ℃ para a epitaxia de silicio);
-O susceptor do barril xira para garantir a distribución uniforme da temperatura e o fluxo de gas;
-Os gases de reacción descompoñen a altas temperaturas, formando capas epitaxiais na superficie do substrato.

Aplicacións:
-Usado principalmente para o crecemento epitaxial de silicio
-Aplicable tamén para a epitaxia doutros materiais semicondutores como GaAs, InP, etc.

VET Energy usa grafito de alta pureza con revestimento CVD-SiC para mellorar a estabilidade química:

As vantaxes do VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Estabilidade á alta temperatura;
-Boa uniformidade térmica;
-Pode procesar varios substratos simultaneamente, mellorando a eficiencia da produción;
-Químicamente inerte, mantendo un ambiente de crecemento de alta pureza.