Susceptor MOCVD de alta calidade 2022 Compre en liña en China, susceptores de epitaxia de grafito Sic,
Substratos de soporte de grafito, Susceptores de grafito, Susceptores de grafito para epitaxia SiC, Susceptores de grafito para silicio, Susceptores de grafito con revestimento de carburo de silicio, FERRAMENTAS DE GRAFITO EN SEMICONDUTOR Bandexas de grafito Susceptores de obleas de grafito FERRAMENTAS DE GRAFITO DE ALTA PUREZA Optoelectrónica, plataformas satelitales para el MOCVD, Plataformas satelitales de grafito revestidas de SiC para MOCVD,

As vantaxes especiais dos nosos susceptores de grafito revestidos de SiC inclúen unha pureza extremadamente alta, un revestimento homoxéneo e unha excelente vida útil. Tamén teñen propiedades de alta resistencia química e estabilidade térmica.

O revestimento de SiC do substrato de grafito para aplicacións de semicondutores produce unha peza cunha pureza e resistencia superiores á atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC aplícase ao grafito de pezas de deseño simples ou complexas. O revestimento pódese aplicar en diferentes grosores e en pezas moi grandes.

Características:
· Excelente resistencia ao choque térmico
· Excelente resistencia a choques físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Dispoñibilidade en Forma complexa
· Utilizable en atmosfera comburente

Propiedades típicas do material de grafito base:

O carbono fornece susceptores e compoñentes de grafito para todos os reactores de epitaxia actuais. A nosa carteira inclúe susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores de filloas para unidades LPE, CSD e Gemini e susceptores de oblea única para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes asociacións cos principais OEM, experiencia en materiais e coñecementos de fabricación, SGL ofrece o deseño óptimo para a súa aplicación.