Disc suidse wafer còmhdaichte le silicon carbide

Ìomhaigh sònraichte diosc suidse wafer còmhdaichte le silicon carbide

Tuairisgeul goirid:

Is e toradh àrd-choileanaidh a th’ ann an diosc suidse wafer còmhdaichte le còmhdach carbide silicon VET Energy a chaidh a dhealbhadh gus coileanadh cunbhalach agus earbsach a thoirt seachad thar ùine leudaichte. Tha neart teas fìor mhath aige agus èideadh teirmeach, fìor-ghlanachd, strì an aghaidh bleith, ga fhàgail na fhuasgladh foirfe airson tagraidhean giollachd wafer.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Tha diosc wafer Silicon Carbide na phrìomh phàirt a thathas a’ cleachdadh ann an grunn phròiseasan saothrachaidh semiconductor. bidh sinn a’ cleachdadh ar teicneòlas peutant gus an diosc silicon carbide a dhèanamh nas sàbhailte le fìor-ghlanachd fìor àrd, deagh èideadh còmhdach agus beatha seirbheis sàr-mhath, a bharrachd air neart ceimigeach àrd agus feartan seasmhachd teirmeach.

Is e VET Energy an fhìor neach-saothrachaidh de thoraidhean grafait gnàthaichte agus carbide sileaconach le còmhdach eadar-dhealaichte leithid SiC, TaC, gualain pyrolytic, carbon-glainne, msaa, comasach air grunn phàirtean gnàthaichte a thoirt seachad airson gnìomhachas semiconductor agus photovoltaic. Tha an sgioba teignigeach againn a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, is urrainn dhaibh barrachd fhuasglaidhean stuthan proifeasanta a thoirt dhut.

Tha sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad, agus tha sinn air teicneòlas peutant sònraichte obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas buailtiche a bhith air a sgaradh.

Ffeartan ar bathar:

1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh suas ri 1700℃.
2. Àrd purity agusèideadh teirmeach
3. Sàr-aghaidh meirg: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.
4. Cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.
5. Beatha seirbheis nas fhaide agus nas seasmhaiche

CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdachadh
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach àbhaisteach
晶体结构 / Structar Criostail	FCC β ìre多晶,主要为（111）
Seadh / Dùmhlachd	3.21 g / cm³
硬度 / Cruaidh	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 m
纯度 / Purity ceimigeach	99.99995%
adh / Comas teas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Teòthachd	2700 ℃
抗弯强度 / Neart sùbailte	415 MPa RT 4-phuing
杨氏模量 / Modulus Young	430 Gpa 4pt lùb, 1300 ℃
导热系数 / TeirmlGiùlan	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Leudachadh teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1