CVD-SiCtha feartan structar èideadh aig còmhdach, stuth teann, strì an aghaidh teòthachd àrd, strì an aghaidh oxidation, purrachd àrd, strì an aghaidh searbhag is alcalan agus reagent organach, le feartan corporra is ceimigeach seasmhach.

An coimeas ri stuthan grafait àrd-ghlan, bidh grafait a 'tòiseachadh a' oxidachadh aig 400C, a dh 'adhbhraicheas call pùdar mar thoradh air oxidation, a' leantainn gu truailleadh àrainneachd air innealan iomaill agus seòmraichean falamh, agus a 'meudachadh neo-ionnanachd àrainneachd fìor-ghlan.

Ach, faodaidh còmhdach SiC seasmhachd corporra is ceimigeach a chumail aig 1600 ceum, Tha e air a chleachdadh gu farsaing ann an gnìomhachas an latha an-diugh, gu sònraichte ann an gnìomhachas semiconductor.

Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC. Tha an SIC a chaidh a chruthachadh ceangailte gu daingeann ris a ’bhunait ghrafait, a’ toirt feartan sònraichte don bhunait grafait, mar sin a ’dèanamh uachdar a’ ghrafait compact, gun porosity, an aghaidh teòthachd àrd, an aghaidh creimeadh agus strì an aghaidh oxidation.

Prìomh fheartan:

1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:

tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh vapor ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.

3. Cur an aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.

4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.

Prìomh shònrachaidhean còmhdach CVD-SIC: