Suidhichear luchd-giùlan wafer MOCVD Coating Graphite SiC

Suidhichear luchd-giùlan wafer graifit SiC MOCVD a’ nochdadh Ìomhaigh sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Is e toradh àrd-choileanaidh a th’ ann an VET Energy SiC Coated MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth a chaidh a dhealbhadh gus coileanadh cunbhalach agus earbsach a thoirt seachad thar ùine leudaichte. Tha neart teas fìor mhath aige agus èideadh teirmeach, fìor-ghlanachd, strì an aghaidh bleith, ga fhàgail na fhuasgladh foirfe airson tagraidhean giollachd wafer.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Graffit còmhdach SiC MOCVD Luchd-giùlan wafer / suidse

Tha ar luchd-gabhail uile air an dèanamh le grafait isostatic àrd-neart. Buannachd bho fhìor-ghlanachd ar grafait - air a leasachadh gu sònraichte airson pròiseasan dùbhlanach leithid epitaxy, fàs criostail, cuir a-steach ian agus sgrìobadh plasma, a bharrachd air a bhith a’ dèanamh chips LED.

Feartan ar bathar:

1. Àrd teòthachd oxidation strì suas gu 1700 ℃.
2. Àrd purity agus teirmeach èideadh
3. Sàr-aghaidh meirg: searbhag, alkali, salann agus reagents organach.
4. Cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.
5. Beatha seirbheis nas fhaide agus nas seasmhaiche

CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdachadh
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach àbhaisteach
晶体结构 / Structar Criostail	FCC β ìre多晶,主要为（111）
Seadh / Dùmhlachd	3.21 g / cm³
硬度 / Cruaidh	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 m
纯度 / Purity ceimigeach	99.99995%
adh / Comas teas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Teòthachd	2700 ℃
抗弯强度 / Neart sùbailte	415 MPa RT 4-phuing
杨氏模量 / Modulus Young	430 Gpa 4pt lùb, 1300 ℃
导热系数 / TeirmlGiùlan	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Leudachadh teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1

Is e VET Energy an fhìor neach-saothrachaidh de thoraidhean grafait gnàthaichte agus carbide sileaconach le còmhdach eadar-dhealaichte leithid còmhdach SiC, còmhdach TaC, còmhdach gualain glainne, còmhdach gualain pyrolytic, msaa, comasach air grunn phàirtean gnàthaichte a thoirt seachad airson gnìomhachas semiconductor agus photovoltaic.

Tha an sgioba teignigeach againn a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, is urrainn dhaibh barrachd fhuasglaidhean stuthan proifeasanta a thoirt dhut.

Tha sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad, agus tha sinn air teicneòlas peutant sònraichte obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas buailtiche a bhith air a sgaradh.

Tha fàilte chridheil oirbh tadhal air an fhactaraidh againn, leig leinn tuilleadh deasbaid a bhith againn!