Druma leth-mhòin còmhdaichte le SiC air a chleachdadh ann an uidheamachd epitaxial SiC

Druma leth-mhòin còmhdaichte le SiC air a chleachdadh ann an Ìomhaigh le Uidheam Epitaxial SiC

Tuairisgeul goirid:

Ro-ràdh agus cleachdadh toraidh: Faodaidh tiùb quartz ceangailte, a dhol seachad air gas gus cuairteachadh bonn an treidhe a stiùireadh, smachd teothachd

Suidheachadh inneal an toraidh: anns an t-seòmar freagairt, gun a bhith ann an conaltradh dìreach ris an wafer

Prìomh thoraidhean sìos an abhainn: innealan cumhachd

Prìomh mhargaidh crìochnachaidh: carbadan lùtha ùra

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Pàirt leth-mhonadh grafait còmhdaichte le SiCis a iuchairpàirt air a chleachdadh ann am pròiseasan saothrachaidh semiconductor, gu sònraichte airson uidheamachd epitaxial SiC.Bidh sinn a’ cleachdadh ar teicneòlas peutant gus am pàirt leth-ghealach a dhèanamh lefìor-ghlanachd fìor àrd,mathcòmhdachadhèideadhagus beatha seirbheis sàr-mhath, A bharrachd airneart ceimigeach àrd agus feartan seasmhachd teirmeach.

Tha VET Energy anfìor neach-dèanamh de thoraidhean àbhaisteach grafait agus carbide silicon le còmhdach CVD,urrainn solarachadhcaochladhpàirtean gnàthaichte airson gnìomhachas semiconductor agus photovoltaic. Our sgioba teignigeach a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, is urrainn dhaibh fuasglaidhean stuthan nas proifeiseanta a thoirt seachadDhutsa.

Tha sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad,agusair teicneòlas sònraichte le peutant obrachadh a-mach, a dh’ fhaodadh an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teinne agus nas buailtiche a bhith air a sgaradh.

Ffeartan ar bathar:

1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh suas ri 1700℃.
2. Àrd purity agusèideadh teirmeach
3. Sàr-aghaidh meirg: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.
4. Cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.
5. Beatha seirbheis nas fhaide agus nas seasmhaiche

CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdachadh
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach àbhaisteach
晶体结构 / Structar Criostail	FCC β ìre多晶,主要为（111）
Seadh / Dùmhlachd	3.21 g / cm³
硬度 / Cruaidh	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 m
纯度 / Purity ceimigeach	99.99995%
adh / Comas teas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Teòthachd	2700 ℃
抗弯强度 / Neart sùbailte	415 MPa RT 4-phuing
杨氏模量 / Modulus Young	430 Gpa 4pt lùb, 1300 ℃
导热系数 / TeirmlGiùlan	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Leudachadh teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1