IC Single-Crystal Silicon Epitaksy

IC Single-Crystal Silicon Epitaxy Featured Image

Koarte beskriuwing:

Plak fan oarsprong:Sina

Kristal struktuer:FCCβ faze

Density:3,21 g/cm;

Hardheid:2500 Vickers;

Korrelgrutte:2~10μm;

Gemyske suverens:99.99995%;

Heat Kapasiteit:640J·kg-1·K-1;

Sublimaasjetemperatuer:2700 ℃;

Felexural sterkte:415 Mpa (RT 4-Punkt);

Young's Modulus:430 Gpa (4pt bocht, 1300 ℃);

Termyske útwreiding (CTE):4,5 10-6K-1;

Thermyske konduktiviteit:300 (W/MK);

Stjoer e-mail nei ús Download as PDF

Produkt Detail

Produkt Tags

Produkt Beskriuwing

Us bedriuw leveret tsjinsten foar SiC-coatingproses troch CVD-metoade op it oerflak fan grafyt, keramyk en oare materialen, sadat spesjale gassen dy't koalstof en silisium befetsje by hege temperatuer reagearje om SiC-molekulen mei hege suverens te krijen, molekulen ôfset op it oerflak fan 'e coated materialen, foarmje SIC beskermjende laach.

Haadfunksjes:

1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding:

de oksidaasjebestriding is noch altyd tige goed as de temperatuer sa heech is as 1600 C.

2. Hege suverens: makke troch gemyske dampdeposysje ûnder hege temperatuer chlorinaasjebetingst.

3. Erosion ferset: hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.

4. Korrosjebestriding: soere, alkali, sâlt en organyske reagenzjes.

Main Spesifikaasjes fan CVD-SIC Coating

SiC-CVD Eigenskippen
Crystal Struktuer	FCC β faze
Tichtheid	g/cm³	3.21
Hurdens	Vickers hurdens	2500
Grain Grutte	μm	2~10
Gemyske suverens	%	99.99995
Heat Kapasiteit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaasjetemperatuer	℃	2700
Felexural sterkte	MPa (RT 4-punt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermyske conductivity	(W/mK)	300