Oanfoljende Wafer Boat

Koarte beskriuwing:

De Contiguous Wafer Boat út vet-china is ûntworpen foar effisjinte waferhanneling yn semiconductor-fabryk. Oanmakke mei presyzje, de oplossing fan vet-china soarget foar thermyske stabiliteit en gemyske ferset, optimalisearjen fan produksjeprosessen, wylst skea minimearje en trochstreaming ferbetterje.

Stjoer e-mail nei ús Download as PDF

Produkt Detail

Produkt Tags

vet-china yntrodusearret in state-of-the-art Contiguous Wafer Boat ûntwurpen foar de folgjende generaasje fan semiconductor manufacturing. Dizze sekuer ûntworpen boat biedt ongeëvenaarde presyzje yn wafer-ôfhanneling, soarget foar naadleaze operaasjes en ferminderet it risiko fan skea by ferwurking signifikant.

Boud mei materialen fan hege kwaliteit, de Contiguous Wafer Boat hat poerbêste thermyske stabiliteit en útsûnderlike gemyske ferset, wêrtroch it ideaal is foar hege temperatueren en hurde gemyske omjouwings. It ynnovative ûntwerp soarget derfoar dat wafels feilich wurde hâlden en perfekt ôfstimd, optimalisearjen fan trochset en fergrutsjen fan produksje-effisjinsje.

Dizze cutting-edge wafer boat is ôfstimd om te foldwaan oan de easken fan moderne semiconductor fabs, en stipet ferskate wafer maten en konfiguraasjes. Troch it opnimmen fan de Contiguous Wafer Boat út vet-china yn jo produksjeline, kinne jo ferwachtsje ferbettere prestaasjes, fermindere downtime, en ferhege opbringst tariven.

Belibje it ferskil mei de ynset fan vet-china foar kwaliteit en ynnovaasje, it leverjen fan produkten dy't de grinzen fan semiconductor fabrikaazje opdrukke. Kies de Contiguous Wafer Boat en ferheffe jo wafelferwurkingsmooglikheden nei nije hichten.

Eigenskippen fan rekristallisearre silisiumkarbid

Omkristallisearre silisiumkarbid (R-SiC) is in hege prestaasjes materiaal mei hurdens dy't twadde is nei diamant, dat wurdt foarme by in hege temperatuer boppe 2000 ℃. It behâldt in protte treflike eigenskippen fan SiC, lykas hege temperatuersterkte, sterke korrosjebestriding, poerbêste oksidaasjebestriding, goede thermyske skokbestriding ensafuorthinne.

● Excellent meganyske eigenskippen. Rekristallisearre silisiumkarbid hat hegere sterkte en stivens as koalstoffaser, hege ynfloedresistinsje, kin in goede prestaasje spielje yn ekstreme temperatueromjouwings, kin in bettere tsjinwichtprestaasjes spielje yn in ferskaat oan situaasjes. Dêrnjonken hat it ek goede fleksibiliteit en wurdt it net maklik beskeadige troch stretching en bûgjen, wat syn prestaasjes sterk ferbetteret.

● Hege corrosie ferset. Rekristallisearre silisiumkarbid hat hege korrosjebestriding foar in ferskaat oan media, kin de eroazje fan in ferskaat oan korrosive media foarkomme, kin har meganyske eigenskippen foar in lange tiid behâlde, hat in sterke adhesion, sadat it in langere libbensdoer hat. Dêrneist hat it ek goede termyske stabiliteit, kin oanpasse oan in bepaald berik fan temperatuer feroarings, ferbetterjen syn tapassing effekt.

● Sinterjen krimpt net. Om't it sinteringproses net krimpt, sil gjin oerbliuwende stress feroarsaakje of kraken fan it produkt, en dielen mei komplekse foarmen en hege presyzje kinne wurde taret.

重结晶碳化硅物理特性 Fysike eigenskippen fan herkristallisearre silisiumkarbid
性质 / Eigenskip	典型数值 / Typyske Wearde
使用温度/ Wurktemperatuer (°C)	1600 ° C (mei soerstof), 1700 ° C (ferminderende omjouwing)
SiC含量/ SiC ynhâld	> 99,96%
自由Si含量/ Free Si ynhâld	< 0.1%
体积密度/Bulk tichtens	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Skynber porosity	< 16%
抗压强度/ Kompresje sterkte	> 600MPa
常温抗弯强度/Kâlde bûgen sterkte	80-90 MPa (20 °C)
高温抗弯强度Hot bûgen sterkte	90-100 MPa (1400 °C)
热膨胀系数/ Termyske útwreiding @ 1500 ° C	4,70 10^-6/°C
导热系数/Thermyske konduktiviteit @1200 °C	23W/m•K
杨氏模量/ Elastyske modulus	240 GPa
抗热震性/ Thermal shock ferset	Ekstreem goed

VET Energy is deechte fabrikant fan oanpaste grafyt- en silisiumkarbidprodukten mei CVD-coating,leverje kinneferskateoanpaste dielen foar semiconductor en fotovoltaïsche yndustry. Our technyske team komt út top ynlânske ûndersyk ynstellings, kin leverje mear profesjonele materiaal oplossingsfoar dy.

Wy ûntwikkelje kontinu avansearre prosessen om mear avansearre materialen te leverjen,enhawwe útwurke in eksklusive patintearre technology, dy't kin meitsje de bonding tusken de coating en it substraat strakkere en minder gefoelich foar losmeitsjen.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis fysike eigenskippen fan CVD SiCcoating
性质 / Eigenskip	典型数值 / Typyske Wearde
晶体结构 / Crystal Struktuer	FCC β faze多晶，主要为（111）取向
密度 / Tichtheid	3,21 g/cm³
硬度 / Hurdens	2500 维氏硬度（500g lading）
晶粒大小 / Grain Grutte	2~10μm
纯度 / Chemical Purity	99.99995%
热容 / Heat Kapasiteit	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Temperatur	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Strength	415 MPa RT 4-punt
杨氏模量 / Jongens Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300 ℃
导热系数 / ThermalConductivity	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE)	4,5×10^-6K^-1