-
معرفی مختصر نیمه هادی GaN نسل سوم و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه یافت. این پایه مادی برای توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. نسل اول مواد نیمه رسانا...ادامه مطلب -
23.5 میلیارد، ابر تک شاخ سوژو به عرضه اولیه عمومی سهام می رود
پس از 9 سال کارآفرینی، Innoscience بیش از 6 میلیارد یوان در مجموع تامین مالی جذب کرده است و ارزش آن به 23.5 میلیارد یوان رسیده است. فهرست سرمایه گذاران به اندازه ده ها شرکت است: Fukun Venture Capital، Dongfang State Assets، Suzhou Zhanyi، Wujian...ادامه مطلب -
چگونه محصولات پوشش داده شده با کاربید تانتالیوم مقاومت در برابر خوردگی مواد را افزایش می دهند؟
پوشش کاربید تانتالیوم یک فناوری تصفیه سطحی است که معمولاً مورد استفاده قرار می گیرد که می تواند مقاومت در برابر خوردگی مواد را به طور قابل توجهی بهبود بخشد. پوشش کاربید تانتالیوم را می توان از طریق روش های مختلف آماده سازی مانند رسوب شیمیایی بخار، فیزیکی و ... به سطح زیرلایه چسباند.ادامه مطلب -
مقدمه ای بر نسل سوم نیمه هادی GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه یافت. این پایه مادی برای توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه رسانای نسل اول، مواد نیمه رسانا را ساختند.ادامه مطلب -
مطالعه شبیه سازی عددی تاثیر گرافیت متخلخل بر رشد کریستال کاربید سیلیکون
فرآیند اصلی رشد کریستال SiC به تصعید و تجزیه مواد خام در دمای بالا، انتقال مواد فاز گاز تحت اثر گرادیان دما، و رشد تبلور مجدد مواد فاز گاز در بلور دانه تقسیم می‌شود. بر این اساس، ...ادامه مطلب -
انواع گرافیت ویژه
گرافیت ویژه یک ماده گرافیت با خلوص بالا، چگالی بالا و استحکام بالا است و دارای مقاومت در برابر خوردگی عالی، پایداری در دمای بالا و هدایت الکتریکی عالی است. از گرافیت طبیعی یا مصنوعی پس از عملیات حرارتی با دمای بالا و پردازش فشار بالا ساخته شده است.ادامه مطلب -
تجزیه و تحلیل تجهیزات رسوب لایه نازک - اصول و کاربردهای تجهیزات PECVD/LPCVD/ALD
رسوب لایه نازک برای پوشاندن لایه ای از فیلم بر روی ماده زیرلایه اصلی نیمه هادی است. این فیلم می تواند از مواد مختلفی مانند ترکیب عایق دی اکسید سیلیسیم، پلی سیلیکون نیمه هادی، مس فلزی و ... ساخته شود. تجهیزاتی که برای پوشش استفاده می شود، رسوب لایه نازک نامیده می شود.ادامه مطلب -
مواد مهمی که کیفیت رشد سیلیکون تک کریستالی را تعیین می کنند - میدان حرارتی
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستالی به طور کامل در زمینه حرارتی انجام می شود. یک میدان حرارتی خوب برای بهبود کیفیت کریستال ها مساعد است و راندمان تبلور بالاتری دارد. طراحی میدان حرارتی تا حد زیادی تغییر در شیب دما را تعیین می کند.ادامه مطلب -
مشکلات فنی کوره رشد کریستال کاربید سیلیکون چیست؟
کوره رشد کریستال تجهیزات اصلی برای رشد کریستال کاربید سیلیکون است. این شبیه به کوره رشد کریستال با درجه سیلیکون کریستالی سنتی است. ساختار کوره خیلی پیچیده نیست. این عمدتا از بدنه کوره، سیستم گرمایش، مکانیزم انتقال سیم پیچ تشکیل شده است.ادامه مطلب
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur