-
4 میلیارد! SK Hynix سرمایه گذاری بسته بندی پیشرفته نیمه هادی را در پارک تحقیقاتی پوردو اعلام کرد
وست لافایت، ایندیانا – شرکت SK hynix اعلام کرد که قصد دارد نزدیک به 4 میلیارد دلار برای ساخت یک مرکز تولید بسته بندی و تحقیق و توسعه پیشرفته برای محصولات هوش مصنوعی در پارک تحقیقاتی پوردو سرمایه گذاری کند. ایجاد یک حلقه کلیدی در زنجیره تامین نیمه هادی ایالات متحده در لافایت غربی...ادامه مطلب -
فناوری لیزر منجر به تحول فناوری پردازش بستر کاربید سیلیکون می شود
1. مروری بر فناوری پردازش بستر کاربید سیلیکون مراحل فعلی پردازش بستر کاربید سیلیکون عبارتند از: آسیاب کردن دایره بیرونی، برش، پخ زدن، سنگ زنی، پرداخت، تمیز کردن، و غیره.ادامه مطلب -
جریان اصلی مواد میدان حرارتی: مواد کامپوزیت C/C
کامپوزیت‌های کربن-کربن نوعی کامپوزیت فیبر کربنی هستند که فیبر کربن به عنوان ماده تقویت‌کننده و کربن رسوب‌شده به‌عنوان ماده ماتریس وجود دارد. ماتریس کامپوزیت های C/C کربن است. از آنجایی که تقریباً به طور کامل از کربن عنصری تشکیل شده است، مقاومت بسیار خوبی در دمای بالا دارد.ادامه مطلب -
سه تکنیک اصلی برای رشد کریستال SiC
همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، سه تکنیک غالب با هدف ارائه تک کریستال SiC با کیفیت و کارایی بالا وجود دارد: اپیتاکسی فاز مایع (LPE)، انتقال فیزیکی بخار (PVT)، و رسوب بخار شیمیایی در دمای بالا (HTCVD). PVT یک فرآیند به خوبی تثبیت شده برای تولید SiC sin...ادامه مطلب -
معرفی مختصر نیمه هادی GaN نسل سوم و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه یافت. این پایه مادی برای توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. نسل اول مواد نیمه رسانا...ادامه مطلب -
23.5 میلیارد، ابر تک شاخ سوژو به عرضه اولیه عمومی سهام می رود
پس از 9 سال کارآفرینی، Innoscience بیش از 6 میلیارد یوان در مجموع تامین مالی جذب کرده است و ارزش آن به 23.5 میلیارد یوان رسیده است. فهرست سرمایه گذاران به اندازه ده ها شرکت است: Fukun Venture Capital، Dongfang State Assets، Suzhou Zhanyi، Wujian...ادامه مطلب -
چگونه محصولات پوشش داده شده با کاربید تانتالم مقاومت در برابر خوردگی مواد را افزایش می دهند؟
پوشش کاربید تانتالیوم یک فناوری تصفیه سطحی است که معمولاً مورد استفاده قرار می گیرد که می تواند مقاومت در برابر خوردگی مواد را به طور قابل توجهی بهبود بخشد. پوشش کاربید تانتالیوم را می توان از طریق روش های مختلف آماده سازی مانند رسوب شیمیایی بخار، فیزیکی و ... به سطح زیرلایه چسباند.ادامه مطلب -
مقدمه ای بر نسل سوم نیمه هادی GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه یافت. این پایه مادی برای توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه رسانای نسل اول باعث ساخت ف...ادامه مطلب -
مطالعه شبیه‌سازی عددی تأثیر گرافیت متخلخل بر رشد کریستال کاربید سیلیکون
فرآیند اصلی رشد کریستال SiC به تصعید و تجزیه مواد خام در دمای بالا، انتقال مواد فاز گاز تحت اثر گرادیان دما، و رشد تبلور مجدد مواد فاز گاز در بلور دانه تقسیم می‌شود. بر این اساس، ...ادامه مطلب
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur