Zutabe bertikaleko ostia ontzia eta idulkia

Deskribapen laburra:

Veterinario-Txinako Zutabe Bertikaleko Wafer Boat & Pedestal-ek egonkortasun eta zehaztasun handiagoa eskaintzen du obleen manipulazioan erdieroaleen fabrikaziorako. Vet-chinaren diseinu aurreratuarekin, sistema honek lerrokadura optimoa eta atxikipen segurua bermatzen ditu, eraginkortasun operatiboa hobetuz eta obleen kalteak murrizten ditu.

Bidali mezu elektronikoa Deskargatu PDF moduan

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

vet-chinak Zutabe Bertikaleko Wafer Boat & Pedestal berritzailea aurkezten du, erdieroaleen prozesatzeko irtenbide integrala. Zehaztasun zorrotzarekin diseinatua, obleak maneiatzeko sistema honek ezinbesteko egonkortasuna eta lerrokadura eskaintzen ditu, funtsezkoak eraginkortasun handiko fabrikazio-inguruneetarako.

Zutabe Bertikaleko Wafer Boat & Pedestal-a egonkortasun termikoa eta korrosio kimikoaren aurkako erresistentzia bermatzen duten material bikainekin eraikita dago, erdieroaleen fabrikazio prozesu zorrotzenetarako egokia da. Bere zutabe bertikaleko diseinu bereziak obleak modu seguruan onartzen ditu, garraioan eta prozesatzean desegokitze-arriskua murriztuz.

Vet-china-ren Zutabe Bertikaleko Wafer Boat & Pedestal-en integrazioarekin, erdieroaleen fabrikatzaileek errendimendu hobetzea, geldialdi-denbora gutxitzea eta produktuaren etekina handitzea espero dezakete. Sistema hau obleen tamaina eta konfigurazio ezberdinekin bateragarria da, eta ekoizpen-behar desberdinetarako malgutasuna eta eskalagarritasuna eskaintzen ditu.

vet-china-k bikaintasunarekiko duen konpromisoari esker, zutabe bertikaleko ostia-ontzi eta idulki bakoitzak kalitate- eta errendimendu-estandar gorenak betetzen dituela bermatzen du. Punta-puntako irtenbide hau aukeratuz gero, obleak kudeatzeko etorkizuneko ikuspegi batean inbertitzen duzu, erdieroaleen fabrikazioan eraginkortasuna eta fidagarritasuna maximizatzen dituena.

Silizio karburo birkristalizatuaren propietateak

Silizio karburo birkristalizatua (R-SiC) errendimendu handiko materiala da, diamantearen bigarren gogortasuna duena, 2000 ℃-tik gorako tenperatura altuan eratzen dena. SiC-ren propietate bikain asko mantentzen ditu, hala nola, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia handia, oxidazio erresistentzia bikaina, shock termikorako erresistentzia ona eta abar.

● Propietate mekaniko bikainak. Birkristalizatutako silizio-karburoak karbono-zuntzak baino indar eta zurruntasun handiagoa du, inpaktu erresistentzia handia, errendimendu ona izan dezake muturreko tenperatura-inguruneetan, errendimendu hobea izan dezake hainbat egoeratan. Horrez gain, malgutasun ona ere badu eta ez da erraz hondatzen luzatzean eta tolestuz, eta horrek asko hobetzen du bere errendimendua.

● Korrosioarekiko erresistentzia handia. Birkristalizatutako silizio karburoak korrosioarekiko erresistentzia handia du hainbat euskarriekiko, hainbat euskarri korrosiboen higadura saihestu dezake, bere propietate mekanikoak denbora luzez mantendu ditzake, atxikimendu sendoa du, bizitza luzeagoa izan dezan. Horrez gain, egonkortasun termiko ona ere badu, tenperatura-aldaketen sorta jakin batera egokitu daiteke, bere aplikazio efektua hobetu.

● Sinterizazioa ez da txikitzen. Sinterizazio-prozesua uzkurtzen ez denez, hondar-tentsiorik ez du produktuaren deformazioa edo pitzadura eragingo, eta forma konplexuak eta doitasun handiko piezak prestatu daitezke.

重结晶碳化硅物理特性 Silizio Karburo Birkristalizatuaren propietate fisikoak
性质 / Jabetza	典型数值 / Balio Tipikoa
使用温度/ Laneko tenperatura (°C)	1600 °C (oxigenoarekin), 1700 °C (ingurune murriztea)
SiC含量/ SiC edukia	> %99,96
自由Si含量/ Doako Si edukia	<% 0,1
体积密度/Solte-dentsitatea	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Itxurazko porositatea	<% 16
抗压强度/ Konpresioaren indarra	> 600MPa
常温抗弯强度/Hotza makurtzeko indarra	80-90 MPa (20 °C)
高温抗弯强度Makurtze-indarra beroa	90-100 MPa (1400 °C)
热膨胀系数/ Dilatazio termikoa @1500°C	4,70 10^-6/°C
导热系数/Eroankortasun termikoa @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulu elastikoa	240 GPa
抗热震性/ Shock termikoen erresistentzia	Oso ona

LH Energia da duCVD estaldura duten grafito eta silizio karburozko produktu pertsonalizatuen benetako fabrikatzailea,hornitu dezakehainbaterdieroale eta industria fotovoltaikorako pieza pertsonalizatuak. OGure talde teknikoa etxeko ikerketa-erakunde gorenetatik dator, material material profesionalagoak eman ditzakezuretzat.

Prozesu aurreratuak etengabe garatzen ditugu material aurreratuagoak eskaintzeko,etapatentatutako teknologia esklusibo bat landu dute, estalduraren eta substratuaren arteko lotura estuagoa eta askatzeko joera gutxiago izan dezakeena.

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ren oinarrizko propietate fisikoakestaldura
性质 / Jabetza	典型数值 / Balio Tipikoa
晶体结构 / Kristalezko Egitura	FCC β fasea多晶，主要为（111）取向
密度 / Dentsitatea	3,21 g/cm³
硬度 / Gogortasuna	2500 维氏硬度（500g karga）
晶粒大小 / Ale Tamaina	2 ~ 10μm
纯度 / Garbitasun kimikoa	%99,99995
热容 / Bero Ahalmena	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimazio-tenperatura	2700 ℃
抗弯强度 / Flexur Indarra	415 MPa RT 4 puntu
杨氏模量 / Gazteen Modulua	430 Gpa 4pt bihurgunea, 1300 ℃
导热系数 / ThermalEroankortasuna	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Hedapen termikoa (CTE)	4,5×10^-6K^-1