Ostia ondoko Itsasontzia

Deskribapen laburra:

Vet-china-ko Contiguous Wafer Boat erdieroaleen fabrikazioan obleak modu eraginkorrean kudeatzeko diseinatuta dago. Zehaztasun handiz diseinatuta, vet-china-ren irtenbideak egonkortasun termikoa eta erresistentzia kimikoa bermatzen ditu, ekoizpen-prozesuak optimizatuz, kalteak gutxituz eta errendimendua hobetuz.

Bidali mezu elektronikoa Deskargatu PDF moduan

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

vet-chinak punta-puntako Contiguous Wafer Boat aurkezten du erdieroaleen fabrikaziorako hurrengo belaunaldirako diseinatua. Zehazki diseinatutako itsasontzi honek obleak maneiatzeko zehaztasun paregabea eskaintzen du, eragiketarik gabeko eragiketak bermatuz eta prozesatzeko garaian kalteak izateko arriskua nabarmen murrizten du.

Kalitate handiko materialekin eraikia, Contiguous Wafer Boat-ek egonkortasun termiko bikaina eta erresistentzia kimiko paregabea ditu, tenperatura altuko eta ingurune kimiko gogorretarako aproposa da. Bere diseinu berritzaileak obleak modu seguruan eusten direla eta ezin hobeto lerrokatuta daudela ziurtatzen du, errendimendua optimizatuz eta fabrikazioaren eraginkortasuna areagotuz.

Punta-puntako ostia-ontzi hau erdieroaleen fabrika modernoen behar zorrotzei erantzuteko egokituta dago, obleen tamaina eta konfigurazio desberdinak onartzen ditu. Albaitari-Txinako Ostia Ontzia zure produkzio-lerroan sartuz gero, errendimendu hobetua, geldialdi-denbora murriztea eta etekin-tasak handitzea espero dezakezu.

Bizi ezazu aldea vet-china-k kalitatearekin eta berrikuntzarekin duen konpromisoarekin, erdieroaleen fabrikazioaren mugak gainditzen dituzten produktuak eskainiz. Aukeratu Contiguous Wafer Boat eta igo zure obleak prozesatzeko gaitasunak altuera berrietara.

Silizio karburo birkristalizatuaren propietateak

Silizio karburo birkristalizatua (R-SiC) errendimendu handiko materiala da, diamantearen bigarren gogortasuna duena, 2000 ℃-tik gorako tenperatura altuan eratzen dena. SiC-ren propietate bikain asko mantentzen ditu, hala nola, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia handia, oxidazio erresistentzia bikaina, shock termikorako erresistentzia ona eta abar.

● Propietate mekaniko bikainak. Birkristalizatutako silizio-karburoak karbono-zuntzak baino indar eta zurruntasun handiagoa du, inpaktu erresistentzia handia, errendimendu ona izan dezake muturreko tenperatura-inguruneetan, errendimendu hobea izan dezake hainbat egoeratan. Horrez gain, malgutasun ona ere badu eta ez da erraz hondatzen luzatzean eta tolestuz, eta horrek asko hobetzen du bere errendimendua.

● Korrosioarekiko erresistentzia handia. Birkristalizatutako silizio karburoak korrosioarekiko erresistentzia handia du hainbat euskarriekiko, hainbat euskarri korrosiboen higadura saihestu dezake, bere propietate mekanikoak denbora luzez mantendu ditzake, atxikimendu sendoa du, bizitza luzeagoa izan dezan. Horrez gain, egonkortasun termiko ona ere badu, tenperatura-aldaketen sorta jakin batera egokitu daiteke, bere aplikazio efektua hobetu.

● Sinterizazioa ez da txikitzen. Sinterizazio-prozesua uzkurtzen ez denez, hondar-tentsiorik ez du produktuaren deformazioa edo pitzadura eragingo, eta forma konplexuak eta doitasun handiko piezak prestatu daitezke.

重结晶碳化硅物理特性 Silizio Karburo Birkristalizatuaren propietate fisikoak
性质 / Jabetza	典型数值 / Balio Tipikoa
使用温度/ Laneko tenperatura (°C)	1600 °C (oxigenoarekin), 1700 °C (ingurune murriztea)
SiC含量/ SiC edukia	> %99,96
自由Si含量/ Doako Si edukia	<% 0,1
体积密度/Solte-dentsitatea	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Itxurazko porositatea	<% 16
抗压强度/ Konpresioaren indarra	> 600MPa
常温抗弯强度/Hotza makurtzeko indarra	80-90 MPa (20 °C)
高温抗弯强度Makurtze-indarra beroa	90-100 MPa (1400 °C)
热膨胀系数/ Dilatazio termikoa @1500°C	4,70 10^-6/°C
导热系数/Eroankortasun termikoa @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulu elastikoa	240 GPa
抗热震性/ Shock termikoen erresistentzia	Oso ona

LH Energia da duCVD estaldura duten grafito eta silizio karburozko produktu pertsonalizatuen benetako fabrikatzailea,hornitu dezakehainbaterdieroale eta industria fotovoltaikorako pieza pertsonalizatuak. OGure talde teknikoa etxeko ikerketa-erakunde gorenetatik dator, material material profesionalagoak eman ditzakezuretzat.

Prozesu aurreratuak etengabe garatzen ditugu material aurreratuagoak eskaintzeko,etapatentatutako teknologia esklusibo bat landu dute, estalduraren eta substratuaren arteko lotura estuagoa eta askatzeko joera gutxiago izan dezakeena.

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ren oinarrizko propietate fisikoakestaldura
性质 / Jabetza	典型数值 / Balio Tipikoa
晶体结构 / Kristalezko Egitura	FCC β fasea多晶，主要为（111）取向
密度 / Dentsitatea	3,21 g/cm³
硬度 / Gogortasuna	2500 维氏硬度（500g karga）
晶粒大小 / Ale Tamaina	2 ~ 10μm
纯度 / Garbitasun kimikoa	%99,99995
热容 / Bero Ahalmena	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimazio-tenperatura	2700 ℃
抗弯强度 / Flexur Indarra	415 MPa RT 4 puntu
杨氏模量 / Gazteen Modulua	430 Gpa 4pt bihurgunea, 1300 ℃
导热系数 / ThermalEroankortasuna	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Hedapen termikoa (CTE)	4,5×10^-6K^-1