Berriak

Grafito berezi motak
administratzaileak 24-06-17an
Grafito berezia purutasun handiko, dentsitate handiko eta indar handiko grafitozko materiala da eta korrosioarekiko erresistentzia bikaina, tenperatura altuko egonkortasuna eta eroankortasun elektriko handia ditu. Grafito natural edo artifizialez egina dago, tenperatura altuko tratamendu termikoa eta presio handiko prozesatu ondoren...
Irakurri gehiago
Film meheen deposizio-ekipoen analisia - PECVD/LPCVD/ALD ekipoen printzipioak eta aplikazioak
administratzaileak 24-06-12an
Film meheen deposizioa film geruza bat estaltzea da erdieroalearen substratu-material nagusian. Film hau hainbat materialez egin daiteke, hala nola, silizio dioxido konposatu isolatzailea, polisilizio erdieroalea, kobre metalikoa, etab. Estaldurak egiteko erabiltzen den ekipamendua film mehe deposizio deitzen zaio...
Irakurri gehiago
Silizio monokristalinoaren hazkuntzaren kalitatea zehazten duten material garrantzitsuak - eremu termikoa
administratzaileak 24-06-12an
Silizio monokristalinoaren hazkuntza-prozesua eremu termikoan gauzatzen da erabat. Eremu termiko on batek kristalen kalitatea hobetzeko lagungarria da eta kristalizazio-eraginkortasun handiagoa du. Eremu termikoaren diseinuak neurri handi batean tenperatura-gradienteen aldaketak zehazten ditu...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira siliziozko karburozko kristal hazteko labearen zailtasun teknikoak?
administratzaileak 07-06-24an
Kristal hazteko labea silizio karburozko kristalen hazkuntzarako oinarrizko ekipamendua da. Silizio kristalinoko kristal hazteko labe tradizionalaren antzekoa da. Labearen egitura ez da oso konplikatua. Batez ere labearen gorputza, berokuntza sistema, bobina transmisio mekanismoa... osatzen dute.
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio-karburoaren epitaxiaren geruzaren akatsak
administratzaileak 05-06-24an
SiC material epitaxialak hazteko oinarrizko teknologia akatsak kontrolatzeko teknologia da, batez ere gailuaren hutsegite edo fidagarritasuna hondatzeko joera duen akatsak kontrolatzeko teknologiarentzat. Epian hedatzen diren substratu-akatsen mekanismoaren azterketa...
Irakurri gehiago
Zutik oxidatutako alea eta hazkuntza epitaxialeko teknologia-Ⅱ
administratzaileak 24-05-30ean
2. Film mehe epitaxialeko hazkundea Substratuak euskarri fisikoko geruza edo geruza eroale bat eskaintzen du Ga2O3 potentzia-gailuetarako. Hurrengo geruza garrantzitsua tentsio-erresistentziarako eta eramaile-garraiorako erabiltzen den kanal-geruza edo geruza epitaxiala da. Matxura-tentsioa handitzeko eta kontaminazioa minimizatzeko ...
Irakurri gehiago
Galio oxidoa kristal bakarreko eta hazkuntza epitaxialeko teknologia
administratzaileak 24-05-30ean
Silizio karburoak (SiC) eta galio nitruroak (GaN) irudikatzen diren banda zabaleko (WBG) erdieroaleek arreta zabala jaso dute. Jendeak itxaropen handiak ditu ibilgailu elektrikoetan eta sare elektrikoetan silizio karburoaren aplikazio-aukerak, baita galioaren aplikazio-aukerak...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio-karburoaren oztopo teknikoak?Ⅱ
administratzaileak 24-05-22an
Errendimendu egonkorra duten kalitate handiko silizio karburozko obleak masa-ekoizteko zailtasun teknikoak honako hauek dira: 1) Kristalak 2000 °C-tik gorako tenperatura altuko ingurune itxi batean hazi behar direnez, tenperatura kontrolatzeko baldintzak oso altuak dira; 2) Silizio-karburoak ...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio-karburoaren oztopo teknikoak?
administratzaileak 24-05-22an
Material erdieroaleen lehen belaunaldia silizio (Si) eta germanio (Ge) tradizionalak dira, zirkuitu integratuen fabrikaziorako oinarriak direnak. Asko erabiltzen dira tentsio baxuko, maiztasun baxuko eta potentzia baxuko transistore eta detektagailuetan. Erdieroaleen produktuen % 90 baino gehiago...
Irakurri gehiago