Berriak

Zeintzuk dira silizio-karburoaren epitaxiaren geruzaren akatsak
administratzaileak 05-06-24an
SiC material epitaxialak hazteko oinarrizko teknologia akatsak kontrolatzeko teknologia da, batez ere gailuaren hutsegite edo fidagarritasuna hondatzeko joera duen akatsak kontrolatzeko teknologiarentzat. Epian hedatzen diren substratu-akatsen mekanismoaren azterketa...
Irakurri gehiago
Zutik oxidatutako alea eta hazkuntza epitaxialeko teknologia-Ⅱ
administratzaileak 24-05-30ean
2. Film mehe epitaxialeko hazkundea Substratuak euskarri fisikoko geruza edo geruza eroale bat eskaintzen du Ga2O3 potentzia-gailuetarako. Hurrengo geruza garrantzitsua tentsio-erresistentziarako eta eramaile-garraiorako erabiltzen den kanal-geruza edo geruza epitaxiala da. Matxura-tentsioa handitzeko eta kontaminazioa minimizatzeko ...
Irakurri gehiago
Galio oxidoa kristal bakarreko eta hazkuntza epitaxialeko teknologia
administratzaileak 24-05-30ean
Silizio karburoak (SiC) eta galio nitruroak (GaN) irudikatzen diren banda zabaleko (WBG) erdieroaleek arreta zabala jaso dute. Jendeak itxaropen handiak ditu silizio karburoa ibilgailu elektrikoetan eta sare elektrikoetan aplikatzeko aukerari buruz, baita galioaren aplikazioa...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio-karburoaren oztopo teknikoak?Ⅱ
administratzaileak 24-05-22an
Errendimendu egonkorra duten kalitate handiko silizio karburozko obleak masa-ekoizteko zailtasun teknikoak honako hauek dira: 1) Kristalak 2000 °C-tik gorako tenperatura altuko ingurune itxi batean hazi behar direnez, tenperatura kontrolatzeko baldintzak oso altuak dira; 2) Silizio-karburoak ...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio-karburoaren oztopo teknikoak?
administratzaileak 24-05-22an
Material erdieroaleen lehen belaunaldia silizio (Si) eta germanio (Ge) tradizionalak dira, zirkuitu integratuen fabrikaziorako oinarriak direnak. Asko erabiltzen dira tentsio baxuko, maiztasun baxuko eta potentzia baxuko transistore eta detektagailuetan. Erdieroaleen produktuen % 90 baino gehiago...
Irakurri gehiago
Nola egiten da SiC mikro hautsa?
administratzaileak 24-05-13an
SiC kristal bakarra IV-IV multzoko material erdieroale konposatu bat da, Si eta C bi elementuz osatutakoa, 1:1eko erlazio estekiometrikoan. Bere gogortasuna diamantearen bigarrena da. SiC oxidoaren karbono murrizketa metodoa SiC prestatzeko erreakzio kimikoen formulan oinarritzen da nagusiki...
Irakurri gehiago
Nola laguntzen diete geruza epitaxialek gailu erdieroaleei?
administratzaileak 24-05-13an
Ostia epitaxial izenaren jatorria Lehenik eta behin, ezagutzera eman dezagun kontzeptu txiki bat: obleen prestaketak bi lotura nagusi ditu: substratuaren prestaketa eta prozesu epitaxiala. Substratua kristal bakarreko material erdieroalez egindako ostia da. Substratua zuzenean sar daiteke obleen fabrikazioan...
Irakurri gehiago
Lurrun-deposizio kimikoaren (CVD) film mehe-deposizio-teknologiaren hastapena
administratzaileak 06-05-24an
Lurrun Kimikoen Deposizioa (CVD) film meheen deposizio-teknologia garrantzitsua da, askotan film funtzional eta geruza meheko material desberdinak prestatzeko erabiltzen dena, eta oso erabilia da erdieroaleen fabrikazioan eta beste esparru batzuetan. 1. CVDren funtzionamendu-printzipioa CVD prozesuan, gas aitzindari bat (bat edo...
Irakurri gehiago
Erdieroale fotovoltaikoen industriaren atzean dagoen "urre beltza" sekretua: grafito isostatikoarekiko nahia eta menpekotasuna
administratzaileak 06-05-24an
Grafito isostatikoa oso material garrantzitsua da fotovoltaiko eta erdieroaleetan. Etxeko grafito isostatikoen enpresen gorakada azkarrarekin, atzerriko enpresen monopolioa hautsi egin da Txinan. Etengabeko ikerketa eta garapen independentearekin eta aurrerapen teknologikoekin, ...
Irakurri gehiago