1.-ren ikuspegi orokorrasilizio karburoaren substratuaprozesatzeko teknologia
Korronteasilizio karburoaren substratua prozesatzeko urratsak honako hauek dira: kanpoko zirkulua ehotzea, xerra moztea, xaflatzea, arteztea, leuntzea, garbitzea, etab. Ebakitzea erdieroaleen substratuaren prozesatzeko urrats garrantzitsua da eta lingotea substratu bihurtzeko urrats garrantzitsua da. Gaur egun, mozketasilizio karburozko substratuakalanbre-mozketa da batez ere. Alanbre anitzeko minda ebaketa alanbrea mozteko metodo onena da gaur egun, baina oraindik ebaketa-kalitate eskasaren eta ebaketa-galera handien arazoak daude. Alanbreen ebaketa galera handitu egingo da substratuaren tamaina handitzean, eta hori ez da egokiasilizio karburoaren substratuafabrikatzaileek kostuak murriztea eta eraginkortasuna hobetzea lortzeko. Mozketa prozesuan8 hazbeteko silizio-karburoa substratuak, alanbre-mozketa bidez lortutako substratuaren gainazaleko forma eskasa da, eta WARP eta BOW bezalako zenbakizko ezaugarriak ez dira onak.
Ebakitzea erdieroaleen substratuaren fabrikazioan funtsezko urratsa da. Industria etengabe saiatzen ari da ebaketa-metodo berriak probatzen, hala nola, diamante alanbreak moztea eta laser bidez kentzea. Laser bilketa teknologia oso bilatua izan da azkenaldian. Teknologia hau sartzeak ebaketa-galerak murrizten ditu eta ebaketa-eraginkortasuna hobetzen du printzipio teknikotik. Laser bilketa-soluzioak automatizazio mailarako eskakizun handiak ditu eta harekin lankidetzan aritzeko mehetze-teknologia behar du, silizio-karburoaren substratuaren prozesamenduaren etorkizuneko garapenaren norabidearekin bat datorrena. Mortero alanbre tradizionalaren ebaketa xerraren etekina, oro har, 1,5-1,6 da. Laser bilketa-teknologia sartzeak xeren etekina 2.0 ingurura igo dezake (ikus DISCO ekipamendua). Etorkizunean, laserra kentzeko teknologiaren heldutasuna handitzen den heinean, xerraren etekina gehiago hobetu daiteke; aldi berean, laser bidezko biluzketak zatiketaren eraginkortasuna asko hobetu dezake. Merkatu-ikerketen arabera, DISCO industriako liderrak xerra bat mozten du 10-15 minututan, eta hori askoz eraginkorragoa da xafla bakoitzeko 60 minutuko morteroaren alanbrea baino.
Silizio karburoko substratuen alanbre tradizionalaren ebaketa-prozesuaren urratsak hauek dira: alanbre ebaketa-ehozketa-artezketa-artezketa fina-leunketa eta leunketa fina. Laser bilketa-prozesuak alanbre-ebaketa ordezkatu ondoren, mehetze-prozesua artezketa-prozesua ordezkatzeko erabiltzen da, eta horrek xeren galera murrizten du eta prozesatzeko eraginkortasuna hobetzen du. Silizio-karburoko substratuak ebakitzeko, artezteko eta leuntzeko laser bidezko erauzketa-prozesua hiru urratsetan banatzen da: laser-gainazalaren eskaneatzea-substratua kentzea-lingotea berdintzea: laser-gainazaleko eskaneatzea laser-pultsu ultraazkarrak erabiltzea da lingotearen gainazala prozesatzeko eraldatu bat osatzeko. geruza lingotearen barruan; substratua kentzea da eraldatutako geruzaren gaineko substratua lingotetik metodo fisikoen bidez bereiztea; lingotearen berdintzea lingotearen gainazalean aldatutako geruza kentzea da, lingotearen gainazalaren lautasuna bermatzeko.
Silizio-karburoko laser bidezko erauzketa-prozesua
2. Laser bilketa teknologian eta industrian parte hartzen duten enpresen nazioarteko aurrerapena
Laser kentze-prozesua atzerriko konpainiek hartu zuten lehen aldiz: 2016an, Japoniako DISCO-k KABRA laser ebakitzeko teknologia berri bat garatu zuen, bereizketa-geruza bat osatzen duena eta obleak bereizten dituen sakonera zehatz batean, lingotea laser bidez etengabe irradiatuz, hainbatetarako erabil daitekeena. SiC lingote motak. 2018ko azaroan, Infineon Technologies-ek Siltectra GmbH erosi zuen, obleak mozteko startup bat, 124 milioi euroren truke. Azken honek Cold Split prozesua garatu zuen, laser teknologia patentatua erabiltzen duena zatiketa-barrutia definitzeko, polimero-material bereziak estaltzeko, kontrol-sistemaren hozte-sistemak eragindako estresa, materialak zehaztasunez zatitzeko eta ehotzeko eta garbitzeko ostia ebaketa lortzeko.
Azken urteotan, etxeko enpresa batzuk ere sartu dira laserra kentzeko ekipoen industrian: enpresa nagusiak Han's Laser, Delong Laser, West Lake Instrument, Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation eta Txinako Zientzia Akademiako Erdieroaleen Institutua dira. Horien artean, zerrendatutako Han's Laser eta Delong Laser konpainiak denbora luzez egon dira diseinuan, eta haien produktuak bezeroek egiaztatzen ari dira, baina konpainiak produktu-lerro asko ditu, eta laserra kentzeko ekipamendua beren negozioetako bat baino ez da. West Lake Instrument bezalako izar gorakorren produktuek eskaera formalak bidalketak lortu dituzte; Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation 2, Txinako Zientzia Akademiako Erdieroaleen Institutuak eta beste konpainia batzuek ekipamenduaren aurrerapena ere kaleratu dute.
3. Laser bilketa-teknologia garatzeko faktore eragileak eta merkatuaren sarrera-erritmoa
6 hazbeteko silizio-karburoko substratuen prezioen murrizketak laser bidezko kenketa-teknologiaren garapena bultzatzen du: gaur egun, 6 hazbeteko silizio-karburoko substratuen prezioa 4.000 yuan/piezatik behera jaitsi da, fabrikatzaile batzuen kostu-preziora hurbilduz. Laser-erauzketa-prozesuak etekin-tasa handia eta errentagarritasun handia ditu, eta horrek laser-erauzketa-teknologiaren sartze-tasa handitzen du.
8 hazbeteko silizio-karburoko substratuen mehetzeak laser bidezko bilketa-teknologiaren garapena bultzatzen du: 8 hazbeteko silizio-karburoko substratuen lodiera 500um-koa da gaur egun, eta 350um-ko lodierarantz garatzen ari da. Alanbrea mozteko prozesua ez da eraginkorra 8 hazbeteko silizio karburoaren prozesazioan (substratuaren gainazala ez da ona), eta BOW eta WARP balioak nabarmen hondatu dira. Laser bilketa 350um siliziozko karburoko substratu prozesatzeko beharrezko prozesatzeko teknologiatzat hartzen da, eta horrek laser bidezko bilketa teknologiaren sartze-tasa handitzen du.
Merkatuaren itxaropenak: SiC substratuaren laser-erauzketa-ekipoak 8 hazbeteko SiC-aren hedapenetik eta 6 hazbeteko SiC-ren kostuen murrizketaz baliatzen dira. Gaur egungo industriaren puntu kritikoa hurbiltzen ari da, eta industriaren garapena asko azkartuko da.
Argitalpenaren ordua: 2024-08-08