MOCVD Susceptor Osta Internetist Hiinas, Sic Graphiteepitaksia sustseptorid,
Süsinik varustab sustseptoreid, EPITAKSIA JA MOCVD, epitaksia sustseptorid, Grafiidi sustseptorid, SiC epitaksia,

CVD-SiC kate on ühtlase struktuuri, kompaktse materjali, kõrge temperatuurikindluse, oksüdatsioonikindluse, kõrge puhtuse, happe- ja leelisekindluse ning orgaanilise reaktiivi omadused, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.

Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma 400 C juures, mis põhjustab oksüdatsiooni tõttu pulbri kadu, mille tulemuseks on välisseadmete ja vaakumkambrite keskkonnareostus ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite hulk.

Kuid SiC kate suudab säilitada füüsikalist ja keemilist stabiilsust 1600 kraadi juures, seda kasutatakse laialdaselt kaasaegses tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.

Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmise protsessiteenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC on tugevalt seotud grafiitpõhjaga, andes grafiidialusele erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, vastupidavaks kõrgele temperatuurile, korrosioonikindlusele ja oksüdatsioonikindlusele.

Rakendus:

Peamised omadused:

1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:

oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1700 C.

2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.

3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.

4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.

CVD-SIC katete peamised spetsifikatsioonid:

Tarnevõime:

10000 tükki kuus
Pakkimine ja kohaletoimetamine:
Pakkimine: standardne ja tugev pakkimine
Polüekott + kast + karp + kaubaalus
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tarneaeg: