MOCVD Susceptor Osta Internetist Hiinas, Sic Graphite epitaxy susceptors

Lühikirjeldus:

 


  • Päritolukoht:Zhejiang, Hiina (Mandri)
  • Mudeli number:Paat 3004
  • Keemiline koostis:SiC kaetud grafiit
  • Paindetugevus:470 MPa
  • Soojusjuhtivus:300 W/mK
  • Kvaliteet:Täiuslik
  • Funktsioon:CVD-SiC
  • Rakendus:Pooljuht / fotogalvaaniline
  • Tihedus:3,21 g/cc
  • Soojuspaisumine:4 10-6/K
  • Tuhk: <5 ppm
  • Näidis:Saadaval
  • HS kood:6903100000
  • Toote üksikasjad

    Tootesildid

    MOCVD Susceptor Osta Internetist Hiinas, Sic Graphiteepitaksia sustseptorid,
    Süsinik varustab susseptoreid, EPITAKSIA JA MOCVD, epitaksia sustseptorid, Grafiidi sustseptorid, SiC epitaksia,

    Toote kirjeldus

    CVD-SiC kate on ühtlase struktuuri, kompaktse materjali, kõrge temperatuurikindluse, oksüdatsioonikindluse, kõrge puhtuse, happe- ja leelisekindluse ning orgaanilise reaktiivi omadused, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.

    Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma 400 C juures, mis põhjustab oksüdatsiooni tõttu pulbri kadu, mille tulemuseks on välisseadmete ja vaakumkambrite keskkonnareostus ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite hulk.

    Kuid SiC kate suudab säilitada füüsikalist ja keemilist stabiilsust 1600 kraadi juures, seda kasutatakse laialdaselt kaasaegses tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.

    Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmise protsessiteenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC on tugevalt seotud grafiitpõhjaga, andes grafiidialusele erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, vastupidavaks kõrgele temperatuurile, korrosioonikindlusele ja oksüdatsioonikindlusele.

    Rakendus:

    2

    Peamised omadused:

    1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:

    oksüdatsioonikindlus on endiselt väga hea, kui temperatuur on kuni 1700 C.

    2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.

    3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.

    4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.

    CVD-SIC katete peamised spetsifikatsioonid:

    SiC-CVD

    Tihedus

    (g/cc)

    3.21

    Paindetugevus

    (Mpa)

    470

    Soojuspaisumine

    (10-6/K)

    4

    Soojusjuhtivus

    (W/mK)

    300

    Tarnevõime:

    10000 tükki kuus
    Pakkimine ja kohaletoimetamine:
    Pakkimine: standardne ja tugev pakkimine
    Polüekott + kast + karp + kaubaalus
    Port:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Tarneaeg:

    Kogus (tükki) 1-1000 >1000
    Hinnang Kellaaeg (päevad) 15 Läbirääkimistel


  • Eelmine:
  • Järgmine:

  • WhatsAppi veebivestlus!