kohandatud Silicon SIC vorm räni SSIC RBSIC vorm

Lühikirjeldus:

Survevaba paagutatud ränikarbiid (SSIC)on toodetud kasutades väga peent SiC pulbrit, mis sisaldab paagutavaid lisandeid. Seda töödeldakse muule keraamikale tüüpiliste vormimismeetoditega ja paagutatakse temperatuuril 2000–2200 °C inertgaasi atmosfääris. Nagu ka peeneteralised versioonid, mille tera suurus on < 5 um, ja jämedateralised versioonid, mille tera suurus on kuni 1,5 mm on saadaval.

Saatke meile e-kiri Laadige alla PDF-ina

Toote üksikasjad

Tootesildid

Ränist SIC vormräniSSIC RBSIC vorm

SSIC-i iseloomustab kõrge tugevus, mis püsib peaaegu konstantsena kuni väga kõrgete temperatuurideni (ligikaudu 1600 °C), säilitades selle tugevuse pikka aega!

Toote eelised:

Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus

Suurepärane korrosioonikindlus

Hea kulumiskindlus

Kõrge soojusjuhtivuse koefitsient
Isemääre, madal tihedus
Kõrge kõvadus
Kohandatud disain.

Tehnilised omadused:

Üksused	Üksus	Andmed
Kõvadus	HS	≥110
Poorsusaste	%	<0.3
Tihedus	g/cm3	3.10-3.15
Kokkusuruv	MPa	> 2200
Murdetugevus	MPa	>350
Laiendustegur	10°C	4.0
Sisu sisu	%	≥99
Soojusjuhtivus	W/mk	>120
Elastne moodul	GPa	≥400
Temperatuur	°C	1380