El SinterizadoCarburo de Silicio (SiC)Cristal/Barco de obleaestá diseñado para las rigurosas demandas de las industrias de semiconductores y microelectrónica. Proporciona una plataforma segura para manipular cristales y obleas de silicio durante el procesamiento a alta temperatura, garantizando que su integridad y pureza se mantengan en todo momento.
Características clave
- Excelente estabilidad térmica: Capaz de soportar temperaturas de hasta 1600°C, ideal para procesos que requieren un control térmico preciso.
- Resistencia química superior: Resistente a la mayoría de los gases y productos químicos corrosivos, lo que proporciona durabilidad en entornos de procesamiento hostiles.
- Robusta resistencia mecánica: Mantiene la integridad estructural bajo alta tensión, reduciendo la probabilidad de deformación o rotura.
- Expansión térmica mínima: Diseñado para minimizar el riesgo de choque térmico y grietas, ofreciendo un rendimiento confiable durante un uso prolongado.
- Fabricación de precisión: Fabricado con alta precisión para cumplir con requisitos de procesos específicos y adaptarse a varios tamaños de cristales y obleas.
Aplicaciones
• Procesamiento de obleas semiconductoras
• Fabricación de LED
• Producción de células fotovoltaicas
• Sistemas de deposición química de vapor (CVD)
• Investigación y desarrollo en ciencia de materiales.
| 烧结碳化硅物理特性 Propiedades físicas deSinteradoSiliconCarbide | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 化学成分 / QuímicoComposición | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Densidad aparente | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Porosidad aparente Porosidad aparente | <0,1% |
| 常温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 20℃ | 270MPa |
| 高温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 1200 ℃ | 290MPa |
| 硬度/ Dureza a 20 ℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Tenacidad a la fractura al 20% | 3.3MPa·m1/2 |
| 导热系数/ Conductividad térmica a 1200 ℃ | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ Expansión térmica a 20-1200 ℃ | 4.51×10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Temperatura máxima de trabajo | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Resistencia al choque térmico a 1200 ℃ | Bien |
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