Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
·Utilizable bajo atmósfera oxidante
Solicitud:
Características y ventajas del producto:
1. Resistencia térmica superior:Con una alta purezaRecubrimiento de SiC, el sustrato resiste temperaturas extremas, lo que garantiza un rendimiento constante en entornos exigentes como epitaxia y fabricación de semiconductores.
2. Durabilidad mejorada:Los componentes de grafito recubiertos de SiC están diseñados para resistir la corrosión y oxidación química, lo que aumenta la vida útil del sustrato en comparación con los sustratos de grafito estándar.
3. Grafito revestido vítreo:La estructura vítrea única de laRecubrimiento de SiCProporciona una excelente dureza superficial, minimizando el desgaste durante el procesamiento a alta temperatura.
4. Recubrimiento de SiC de alta pureza:Nuestro sustrato garantiza una contaminación mínima en procesos de semiconductores sensibles, ofreciendo confiabilidad para industrias que requieren una pureza estricta del material.
5. Aplicación en un amplio mercado:ElSusceptor de grafito recubierto de SiCEl mercado continúa creciendo a medida que aumenta la demanda de productos avanzados recubiertos de SiC en la fabricación de semiconductores, posicionando este sustrato como un actor clave tanto en el mercado de portadores de obleas de grafito como en el mercado de bandejas de grafito recubiertas de carburo de silicio.
Propiedades típicas del material base de grafito:
Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistividad eléctrica: | 11 µΩm |
Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Dureza de la orilla: | 58 |
Ceniza: | <5 ppm |
Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
ECV SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas de CVD SiCrevestimiento | |
性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
晶体结构 / Estructura cristalina | Fase β de la FCC 多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10μm |
纯度 / Pureza química | 99,99995% |
热容 / Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·k-1 |
升华温度 / Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT de 4 puntos |
杨氏模量 / Módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
导热系数 / Conductividad térmica | 300W·m-1·k-1 |
热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy es el verdadero fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con diferentes recubrimientos como recubrimiento de SiC, recubrimiento de TaC, recubrimiento de carbón vítreo, recubrimiento de carbón pirolítico, etc., y puede suministrar varias piezas personalizadas para la industria fotovoltaica y de semiconductores.
Nuestro equipo técnico proviene de las principales instituciones de investigación nacionales y puede brindarle soluciones de materiales más profesionales.
Desarrollamos continuamente procesos avanzados para proporcionar materiales más avanzados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que puede hacer que la unión entre el recubrimiento y el sustrato sea más estrecha y menos propensa a desprenderse.
Le damos una calurosa bienvenida a visitar nuestra fábrica, ¡discutamos más a fondo!