Bandeja epitaxial de la hoja del carburo de silicio para el horno epitaxial del semiconductor

Breve descripción:

La bandeja de láminas epitaxiales de carburo de silicio VET Energy es un producto de alto rendimiento diseñado para proporcionar un rendimiento constante y confiable durante un período prolongado. Tiene muy buena resistencia al calor y uniformidad térmica, alta pureza y resistencia a la erosión, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Inductores de SiC1
Inductores de SiC2

La bandeja de láminas de carburo de silicio es un componente clave que se utiliza en diversos procesos de fabricación de semiconductores. Utilizamos nuestra tecnología patentada para fabricar la bandeja de láminas de carburo de silicio con una pureza extremadamente alta, buena uniformidad de recubrimiento y una excelente vida útil, así como también propiedades de alta resistencia química y estabilidad térmica.

VET Energy es el verdadero fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con diferentes recubrimientos como SiC, Tac, carbón pirolítico, carbón vítreo, etc., y puede suministrar varias piezas personalizadas para la industria fotovoltaica y de semiconductores. Nuestro equipo técnico proviene de las principales instituciones de investigación nacionales y puede brindarle soluciones de materiales más profesionales.

Desarrollamos continuamente procesos avanzados para proporcionar materiales más avanzados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que puede hacer que la unión entre el recubrimiento y el sustrato sea más estrecha y menos propensa a desprenderse.

Características de nuestros productos:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas hasta 1700 ℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica.
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Vida útil más larga y más duradera

ECV SiC薄膜基本物理性能

Propiedades físicas básicas de CVD SiCrevestimiento

性质 / Propiedad

典型数值 / Valor típico

晶体结构 / Estructura cristalina

Fase β de la FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densidad

3,21 g/cm³

硬度 / Dureza

2500 libras (carga de 500 g)

晶粒大小 / Tamaño del grano

2~10μm

纯度 / Pureza Química

99,99995%

热容 / Capacidad calorífica

640 J·kg-1·k-1

升华温度 / Temperatura de sublimación

2700 ℃

抗弯强度 / Resistencia a la flexión

415 MPa RT de 4 puntos

杨氏模量 / Módulo de Young

Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃

导热系数 / TermayoConductividad

300W·m-1·k-1

热膨胀系数 / Expansión Térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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2

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