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¡4 mil millones! SK Hynix anuncia inversión en embalaje avanzado de semiconductores en Purdue Research Park
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. anunció planes para invertir casi $4 mil millones para construir una instalación de I+D y fabricación de envases avanzados para productos de inteligencia artificial en Purdue Research Park. Estableciendo un eslabón clave en la cadena de suministro de semiconductores de EE. UU. en West Lafayett...Leer más -
La tecnología láser lidera la transformación de la tecnología de procesamiento de sustratos de carburo de silicio
1. Descripción general de la tecnología de procesamiento de sustratos de carburo de silicio Los pasos actuales de procesamiento de sustratos de carburo de silicio incluyen: rectificar el círculo exterior, cortar, biselar, rectificar, pulir, limpiar, etc. El corte es un paso importante en la producción de sustratos semiconductores...Leer más -
Materiales de campo térmico convencionales: materiales compuestos C/C
Los compuestos de carbono-carbono son un tipo de compuestos de fibra de carbono, con fibra de carbono como material de refuerzo y carbono depositado como material de matriz. La matriz de los compuestos C/C es carbono. Dado que está compuesto casi en su totalidad de carbono elemental, tiene una excelente resistencia a altas temperaturas...Leer más -
Tres técnicas principales para el crecimiento de cristales de SiC
Como se muestra en la Fig. 3, existen tres técnicas dominantes que tienen como objetivo proporcionar un monocristal de SiC con alta calidad y eficiencia: epitaxia en fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) y deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD). PVT es un proceso bien establecido para producir SiC sin...Leer más -
Breve introducción al semiconductor GaN de tercera generación y la tecnología epitaxial relacionada
1. Semiconductores de tercera generación La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Es la base material para el desarrollo de transistores y tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
23.500 millones, el súper unicornio de Suzhou saldrá a bolsa
Después de nueve años de actividad empresarial, Innoscience ha recaudado más de 6 mil millones de yuanes en financiación total y su valoración ha alcanzado la asombrosa cifra de 23,5 mil millones de yuanes. La lista de inversores llega a decenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leer más -
¿Cómo mejoran los productos recubiertos de carburo de tantalio la resistencia a la corrosión de los materiales?
El recubrimiento de carburo de tantalio es una tecnología de tratamiento de superficies de uso común que puede mejorar significativamente la resistencia a la corrosión de los materiales. El recubrimiento de carburo de tantalio se puede unir a la superficie del sustrato mediante diferentes métodos de preparación, como deposición química de vapor, física...Leer más -
Introducción al semiconductor GaN de tercera generación y la tecnología epitaxial relacionada.
1. Semiconductores de tercera generación La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Es la base material para el desarrollo de transistores y tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
Estudio de simulación numérica sobre el efecto del grafito poroso en el crecimiento de cristales de carburo de silicio.
El proceso básico del crecimiento de cristales de SiC se divide en sublimación y descomposición de materias primas a alta temperatura, transporte de sustancias en fase gaseosa bajo la acción de un gradiente de temperatura y crecimiento por recristalización de sustancias en fase gaseosa en el cristal semilla. En base a esto, el...Leer más
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