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Breve introducción al semiconductor GaN de tercera generación y la tecnología epitaxial relacionada
1. Semiconductores de tercera generación La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Es la base material para el desarrollo de transistores y tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
23.500 millones, el súper unicornio de Suzhou saldrá a bolsa
Después de nueve años de actividad empresarial, Innoscience ha recaudado más de 6 mil millones de yuanes en financiación total y su valoración ha alcanzado la asombrosa cifra de 23,5 mil millones de yuanes. La lista de inversores llega a decenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leer más -
¿Cómo mejoran los productos recubiertos de carburo de tantalio la resistencia a la corrosión de los materiales?
El recubrimiento de carburo de tantalio es una tecnología de tratamiento de superficies de uso común que puede mejorar significativamente la resistencia a la corrosión de los materiales. El recubrimiento de carburo de tantalio se puede unir a la superficie del sustrato mediante diferentes métodos de preparación, como deposición química de vapor, física...Leer más -
Introducción al semiconductor GaN de tercera generación y la tecnología epitaxial relacionada.
1. Semiconductores de tercera generación La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Es la base material para el desarrollo de transistores y tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
Estudio de simulación numérica sobre el efecto del grafito poroso en el crecimiento de cristales de carburo de silicio.
El proceso básico del crecimiento de cristales de SiC se divide en sublimación y descomposición de materias primas a alta temperatura, transporte de sustancias en fase gaseosa bajo la acción de un gradiente de temperatura y crecimiento por recristalización de sustancias en fase gaseosa en el cristal semilla. En base a esto, el...Leer más -
Tipos de grafito especial
El grafito especial es un material de grafito de alta pureza, alta densidad y alta resistencia y tiene una excelente resistencia a la corrosión, estabilidad a altas temperaturas y una gran conductividad eléctrica. Está hecho de grafito natural o artificial después de un tratamiento térmico a alta temperatura y un procesamiento a alta presión...Leer más -
Análisis de equipos de deposición de películas delgadas: principios y aplicaciones de los equipos PECVD/LPCVD/ALD
La deposición de película delgada consiste en recubrir una capa de película sobre el material del sustrato principal del semiconductor. Esta película puede estar hecha de diversos materiales, como compuesto aislante de dióxido de silicio, polisilicio semiconductor, cobre metálico, etc. El equipo utilizado para el recubrimiento se llama deposición de película delgada...Leer más -
Materiales importantes que determinan la calidad del crecimiento del silicio monocristalino – campo térmico
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se realiza íntegramente en el campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad de los cristales y tiene una mayor eficiencia de cristalización. El diseño del campo térmico determina en gran medida los cambios en los gradientes de temperatura...Leer más -
¿Cuáles son las dificultades técnicas del horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio?
El horno de crecimiento de cristales es el equipo principal para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al tradicional horno de crecimiento de cristales de grado silicio cristalino. La estructura del horno no es muy complicada. Se compone principalmente de cuerpo de horno, sistema de calefacción, mecanismo de transmisión de bobina...Leer más
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