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¿Cuáles son las barreras técnicas para el carburo de silicio?Ⅱ
Las dificultades técnicas para producir en masa de manera estable obleas de carburo de silicio de alta calidad con un rendimiento estable incluyen: 1) Dado que los cristales necesitan crecer en un ambiente sellado de alta temperatura por encima de 2000 °C, los requisitos de control de temperatura son extremadamente altos; 2) Dado que el carburo de silicio tiene más...Leer más -
¿Cuáles son las barreras técnicas al carburo de silicio?
La primera generación de materiales semiconductores está representada por los tradicionales silicio (Si) y germanio (Ge), que son la base para la fabricación de circuitos integrados. Se utilizan ampliamente en transistores y detectores de bajo voltaje, baja frecuencia y baja potencia. Más del 90% de los productos de semiconductores...Leer más -
¿Cómo se fabrica el micropolvo de SiC?
El monocristal de SiC es un material semiconductor compuesto del Grupo IV-IV compuesto por dos elementos, Si y C, en una relación estequiométrica de 1:1. Su dureza es superada sólo por el diamante. El método de reducción de carbono del óxido de silicio para preparar SiC se basa principalmente en la siguiente fórmula de reacción química...Leer más -
¿Cómo ayudan las capas epitaxiales a los dispositivos semiconductores?
El origen del nombre oblea epitaxial Primero, popularicemos un pequeño concepto: la preparación de la oblea incluye dos vínculos principales: la preparación del sustrato y el proceso epitaxial. El sustrato es una oblea hecha de material semiconductor monocristalino. El sustrato puede ingresar directamente a la fabricación de obleas...Leer más -
Introducción a la tecnología de deposición de película delgada por deposición química de vapor (CVD)
La deposición química de vapor (CVD) es una importante tecnología de deposición de películas delgadas, que a menudo se usa para preparar diversas películas funcionales y materiales de capas delgadas, y se usa ampliamente en la fabricación de semiconductores y otros campos. 1. Principio de funcionamiento de CVD En el proceso CVD, un precursor de gas (uno o más...Leer más -
El secreto del “oro negro” detrás de la industria de los semiconductores fotovoltaicos: el deseo y la dependencia del grafito isostático
El grafito isostático es un material muy importante en energía fotovoltaica y semiconductores. Con el rápido aumento de las empresas nacionales de grafito isostático, se ha roto el monopolio de las empresas extranjeras en China. Con investigación y desarrollo independientes continuos y avances tecnológicos, el...Leer más -
Revelación de las características esenciales de las embarcaciones de grafito en la fabricación de cerámicas semiconductoras
Los barcos de grafito, también conocidos como barcos de grafito, desempeñan un papel crucial en los intrincados procesos de fabricación de cerámicas semiconductoras. Estos recipientes especializados sirven como portadores fiables de obleas semiconductoras durante tratamientos a alta temperatura, lo que garantiza un procesamiento preciso y controlado. Con ...Leer más -
Se explica en detalle la estructura interna del equipo tubular del horno.
Como se muestra arriba, la primera mitad es un elemento típico: Elemento calefactor (serpentín calefactor): ubicado alrededor del tubo del horno, generalmente hecho de cables de resistencia, que se usa para calentar el interior del tubo del horno. Tubo de cuarzo: El núcleo de un horno de oxidación en caliente, hecho de cuarzo de alta pureza que puede soportar altas...Leer más -
Efectos del sustrato de SiC y los materiales epitaxiales en las características del dispositivo MOSFET
Defecto triangular Los defectos triangulares son los defectos morfológicos más fatales en las capas epitaxiales de SiC. Una gran cantidad de informes bibliográficos han demostrado que la formación de defectos triangulares está relacionada con la forma del cristal 3C. Sin embargo, debido a diferentes mecanismos de crecimiento, la morfología de muchos tr...Leer más
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