Carburo de Silicioes un compuesto duro que contiene silicio y carbono, y se encuentra en la naturaleza como el mineral extremadamente raro moissanita. Las partículas de carburo de silicio se pueden unir mediante sinterización para formar cerámicas muy duras, que se utilizan ampliamente en aplicaciones que requieren alta durabilidad, especialmente en procesos de semiconductores.
Estructura física del SiC
¿Qué es el recubrimiento de SiC?
El recubrimiento de SiC es un recubrimiento de carburo de silicio denso y resistente al desgaste con alta resistencia a la corrosión y al calor y una excelente conductividad térmica. Este recubrimiento de SiC de alta pureza se utiliza principalmente en las industrias de semiconductores y electrónica para proteger los portadores de obleas, las bases y los elementos calefactores de entornos corrosivos y reactivos. El recubrimiento de SiC también es adecuado para hornos de vacío y calentamiento de muestras en entornos de alto vacío, reactivos y oxígeno.
Superficie de revestimiento de SiC de alta pureza
¿Qué es el proceso de recubrimiento de SiC?
Se deposita una fina capa de carburo de silicio sobre la superficie del sustrato utilizandoCVD (deposición química de vapor). La deposición normalmente se lleva a cabo a temperaturas de 1200-1300°C y el comportamiento de expansión térmica del material del sustrato debe ser compatible con el recubrimiento de SiC para minimizar el estrés térmico.
Recubrimiento CVD SIC ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA
Las propiedades físicas del recubrimiento de SiC se reflejan principalmente en su resistencia a altas temperaturas, dureza, resistencia a la corrosión y conductividad térmica.
Los parámetros físicos típicos suelen ser los siguientes:
Dureza: Los recubrimientos de SiC suelen tener una dureza Vickers en el rango de 2000-2500 HV, lo que les confiere una resistencia extremadamente alta al desgaste y al impacto en aplicaciones industriales.
Densidad: Los recubrimientos de SiC suelen tener una densidad de 3,1-3,2 g/cm³. La alta densidad contribuye a la resistencia mecánica y durabilidad del revestimiento.
Conductividad térmica: Los revestimientos de SiC tienen una alta conductividad térmica, normalmente en el rango de 120-200 W/mK (a 20°C). Esto le confiere una buena conductividad térmica en entornos de alta temperatura y lo hace especialmente adecuado para equipos de tratamiento térmico en la industria de semiconductores.
Punto de fusión: El carburo de silicio tiene un punto de fusión de aproximadamente 2730°C y tiene una excelente estabilidad térmica a temperaturas extremas.
Coeficiente de expansión térmica: Los recubrimientos de SiC tienen un coeficiente lineal de expansión térmica (CTE) bajo, normalmente en el rango de 4,0 a 4,5 µm/mK (entre 25 y 1000 ℃). Esto significa que su estabilidad dimensional es excelente en grandes diferencias de temperatura.
Resistencia a la corrosión: Los recubrimientos de SiC son extremadamente resistentes a la corrosión en ambientes ácidos fuertes, alcalinos y oxidantes, especialmente cuando se utilizan ácidos fuertes (como HF o HCl), su resistencia a la corrosión supera con creces la de los materiales metálicos convencionales.
Los recubrimientos de SiC se pueden aplicar a los siguientes materiales:
Grafito isostático de alta pureza (bajo CTE)
Tungsteno
Molibdeno
Carburo de Silicio
Nitruro de Silicio
Compuestos carbono-carbono (CFC)
Los productos recubiertos de SiC se utilizan habitualmente en las siguientes áreas:
producción de chips LED
producción de polisilicio
Semiconductorcrecimiento de cristales
Silicio yepitaxia de SiC
Tratamiento térmico y grabado de oblea.
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Hora de publicación: 18 de octubre de 2024