El recubrimiento de SiC se puede preparar mediante deposición química de vapor (CVD), transformación de precursores, pulverización de plasma, etc. El recubrimiento preparado mediante deposición QUÍMICA de vapor es uniforme y compacto, y tiene buena designabilidad. Utilizando metiltriclosilano. (CHzSiCl3, MTS) como fuente de silicio, preparación de recubrimiento de SiC...
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