Ahora contamos con una fuerza laboral altamente eficiente para atender las consultas de los consumidores. Nuestro objetivo es "100% satisfacción del consumidor por nuestro excelente producto o servicio, precio de venta y nuestro servicio de equipo" y disfrutar de una gran popularidad entre la clientela. Con muchas fábricas, podemos ofrecer una amplia variedad de precios con descuento GaN-Basedepitaxial en sustratos Sic 4 ′′. Damos una calurosa bienvenida a los compañeros de pequeñas empresas de todos los estilos de vida, esperamos establecer negocios amigables y cooperativos, ponerse en contacto con usted y lograr un objetivo en el que todos ganan.
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Portadores de obleas MOCVD de grafito con revestimiento de SiC
Todos nuestros susceptores están hechos de grafito isostático de alta resistencia. Benefíciese de la alta pureza de nuestros grafitos, desarrollados especialmente para procesos desafiantes como epitaxia, crecimiento de cristales, implantación de iones y grabado con plasma, así como para la producción de chips LED.
Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante.
CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.
componente
Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. También tienen propiedades de alta resistencia química y estabilidad térmica.
Mantenemos tolerancias muy estrechas al aplicar el recubrimiento de SiC, utilizando mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados vienen con un certificado de pureza y cumplimiento dimensional.
Solicitud:
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante.Propiedades típicas del material base de grafito:
Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistividad eléctrica: | 11 µΩm |
Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Dureza de la orilla: | 58 |
Ceniza: | <5 ppm |
Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Ahora contamos con una fuerza laboral altamente eficiente para atender las consultas de los consumidores. Nuestro objetivo es "100% satisfacción del consumidor por nuestro excelente producto o servicio, precio de venta y nuestro servicio de equipo" y disfrutar de una gran popularidad entre la clientela. Con muchas fábricas, podemos ofrecer una amplia variedad de precios con descuento GaN-Basedepitaxial en sustratos Sic 4 ′′. Damos una calurosa bienvenida a los compañeros de pequeñas empresas de todos los estilos de vida, esperamos establecer negocios amigables y cooperativos, ponerse en contacto con usted y lograr un objetivo en el que todos ganan.
Precio descontableSustratos de GaN de China y película de GaN, Esperamos sinceramente cooperar con clientes de todo el mundo. Creemos que podemos satisfacerlo con nuestros productos de alta calidad y un servicio perfecto. También damos una calurosa bienvenida a los clientes para que visiten nuestra empresa y compren nuestros productos.