2022 Susceptor MOCVD de alta calidad Compre en línea en China, susceptores de epitaxia de grafito Sic

Breve descripción:

El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante. CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:Número de modelo:
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Resistencia a la flexión:470Mpa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:CVD-SiC
  • Solicitud:Semiconductores/Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cc
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código SA:6903100000
  • Detalle del producto

    Etiquetas de producto

    2022 Susceptor MOCVD de alta calidad Compre en línea en China, susceptores de epitaxia de grafito Sic,
    Sustratos de soporte de grafito, Susceptores de grafito, Susceptores de grafito para epitaxia de SiC, Susceptores de grafito para silicio, Susceptores de grafito con revestimiento de carburo de silicio, HERRAMIENTAS DE GRAFITO EN SEMICONDUCTOR Bandejas de grafito Susceptores de obleas de grafito HERRAMIENTAS DE GRAFITO DE ALTA PUREZA Optoelectrónica, plataformas satelitales para el MOCVD, Plataformas satelitales de grafito recubiertas de SiC para MOCVD,

    Descripción del Producto

    Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. También tienen propiedades de alta resistencia química y estabilidad térmica.

    El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante.
    CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.

    Recubrimiento de SiC/Susceptor MOCVD recubierto

    Características:
    · Excelente resistencia al choque térmico
    · Excelente resistencia a los golpes físicos
    · Excelente resistencia química
    · Pureza súper alta
    · Disponibilidad en forma compleja
    · Utilizable en atmósfera oxidante.

     

    Propiedades típicas del material base de grafito:

    Densidad aparente: 1,85 g/cm3
    Resistividad eléctrica: 11 µΩm
    Resistencia a la flexión: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Dureza de la orilla: 58
    Ceniza: <5 ppm
    Conductividad térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    El carbono suministra susceptores y componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestra cartera incluye susceptores de barril para unidades aplicadas y LPE, susceptores tipo pancake para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades aplicadas y ASM. Al combinar sólidas asociaciones con los principales fabricantes de equipos originales, experiencia en materiales y conocimientos de fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.

     


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