2022 Susceptor MOCVD de alta calidad Compre en línea en China, susceptores de epitaxia de grafito Sic,
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Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. También tienen propiedades de alta resistencia química y estabilidad térmica.
El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante.
CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante.
Propiedades típicas del material base de grafito:
Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistividad eléctrica: | 11 µΩm |
Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Dureza de la orilla: | 58 |
Ceniza: | <5 ppm |
Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
El carbono suministra susceptores y componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestra cartera incluye susceptores de barril para unidades aplicadas y LPE, susceptores tipo pancake para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades aplicadas y ASM. Al combinar sólidas asociaciones con los principales fabricantes de equipos originales, experiencia en materiales y conocimientos de fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.