epitaxial de arseniuro-fosfuro de galio

Arseniuro-fosfuro de galio epitaxial Imagen destacada

Breve descripción:

Estructuras epitaxiales de arseniuro-fosfuro de galio, similares a las estructuras producidas del sustrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para el. Fabricación de cristales LED rojos planos.

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Estructuras epitaxiales de arseniuro-fosfuro de galio, similares a las estructuras producidas del sustrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para el. Fabricación de cristales LED rojos planos.

Parámetro técnico básico
a estructuras de arseniuro-fosfuro de galio

1, sustrato GaAs
a. Tipo de conductividad	electrónico
b. Resistividad, ohm-cm	0,008
do. Orientación de red cristalina	(100)
d. Desorientación superficial	(1-3)°

2. Capa epitaxial GaAs1-х Pх
a. Tipo de conductividad	electrónico
b. Contenido de fósforo en la capa de transición.	de х = 0 a х ≈ 0,4
do. Contenido de fósforo en una capa de composición constante.	х ≈ 0,4
d. Concentración de portador, cm3	(0,2−3,0)·1017
mi. Longitud de onda en el máximo del espectro de fotoluminiscencia, nm	645-673 nanómetro
F. Longitud de onda en el máximo del espectro de electroluminiscencia.	650-675 nanómetro
gramo. Espesor de capa constante, micras	Al menos 8 nm
h. Espesor de capa (total), micras	Al menos 30 nm

3 Placa con capa epitaxial
a. Deflexión, micras	Como máximo 100 um
b. Espesor, micras	360-600 micras
do. centímetro cuadrado	Al menos 6 cm2
d. Intensidad luminosa específica (después de difusiónZn), cd/amp	Al menos 0,05 cd/amp